參數(shù)資料
型號: AS4C4M4F1Q
廠商: Alliance Semiconductor Corporation
英文描述: 5V 4M×4 CMOS QuadCAS DRAM (Fast Page Mode)(5V 4M×4 CMOS QuadCAS 動態(tài)RAM(快速頁面模式))
中文描述: 5V的4米× 4的CMOS QuadCAS的DRAM(快速頁面模式)(5V的4米× 4的CMOS QuadCAS動態(tài)隨機(jī)存儲器(快速頁面模式))
文件頁數(shù): 3/16頁
文件大?。?/td> 364K
代理商: AS4C4M4F1Q
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FRQGLWLRQV
Parameter
V
IL
min -3.0V for pulse widths less than 5 ns. Recommended operating conditions apply throughout this document unlesss otherwise specified.
Symbol
V
CC
GND
V
IH
V
IL
T
A
Min
4.5
0.0
2.4
–0.5
0
Nominal
5.0
0.0
Max
5.5
0.0
V
CC
0.8
70
Unit
V
V
V
V
°C
Supply voltage
Input voltage
Ambient operating temperature
RAS clock
generator
R
c
4,194,304 × 4
Array
(16,777,216)
Sense amp
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
V
CC
GND
A
R
Column decoder
Substrate bias
generator
Data
I/O
buffers
OE
RAS
CAS
WE clock
generator
WE
I/O0 to I/O3
CAS clock
generator
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AS4C4M4FOQ 5V 4M×4 CMOS QuadCAS DRAM (Fast Page Mode)(5V 4M×4 CMOS QuadCAS 動態(tài)RAM(快速頁面模式))
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AS4LC1M16S1 3.3V 1M × 16 CMOS Synchronous DRAM(3.3V 1M × 16 CMOS同步動態(tài)RAM)
AS4LC256K16EO 3.3V 256K×16 CMOS DRAM (EDO)(3.3V 256K×16 CMOS動態(tài)RAM(擴(kuò)展數(shù)據(jù)總線))
AS4LC4M16S0 3.3V 4M × 16 CMOS Synchronous DRAM(3.3V 4M × 16 CMOS同步動態(tài)RAM)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AS4C4M4F1Q-50JC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM
AS4C4M4F1Q-50TC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:DRAM|FAST PAGE|4MX4|CMOS|SOJ|28PIN|PLASTIC
AS4C4M4F1Q-60JC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM
AS4C4M4F1Q-60TC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:DRAM|FAST PAGE|4MX4|CMOS|TSOP|28PIN|PLASTIC
AS4C512M16D3L-12BCN 功能描述:IC SDRAM DDR3 512MX16 96FBGA COM 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:DDR3L SDRAM 存儲容量:8G(512M x 16) 速度:800MHz 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.283 V ~ 1.45 V 工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) 封裝/外殼:96-TFBGA 供應(yīng)商器件封裝:96-FBGA(14x9) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:190