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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 29LV160BE |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 16M (2M X 8/1M X 16) BIT |
| 中文描述： | 16米（2米x 8/1M × 16）位 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 33/59頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 653K |
| 代理商： | 29LV160BE |
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MBM29LV160TE/BE
-70/90/12
33
I
ERASE AND PROGRAMMING PERFORMANCE
I
PIN CAPACITANCE
Note: Test conditions T
A
= 25°C, f = 1.0 MHz
Parameter
Limits
Unit
Comments
Min.
Typ.
Max.
Sector Erase Time
—
1
10
s
Excludes programming time
prior to erasure
Byte Programming Time
—
8
300
μs
Excludes system-level
overhead
Word Programming Time
—
16
360
Chip Programming Time
—
16.8
50
s
Excludes system-level
overhead
Erase/Program Cycle
100,000
—
—
cycle
—
Parameter
Symbol
Test Setup
Typ.
Max.
Unit
Input Capacitance
C
IN
V
IN
= 0
6
7.5
pF
Output Capacitance
C
OUT
V
OUT
= 0
8
10
pF
Control Pin Capacitance
C
IN2
V
IN
= 0
7.5
9
pF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 29LV160B | 16M-BIT [2Mx8/1Mx16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| 29LV160B | 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| 29LV160C-55R | 16M-BIT [2Mx8/1Mx16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| 29LV160C-70 | 16M-BIT [2Mx8/1Mx16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| 29LV160C-90 | 16M-BIT [2Mx8/1Mx16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 29LV160BT-90V | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 29LV160C-55R | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:16M-BIT [2Mx8/1Mx16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| 29LV160C-70 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:16M-BIT [2Mx8/1Mx16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| 29LV160C-90 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:16M-BIT [2Mx8/1Mx16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| 29LV160DB70EC | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
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