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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 28F640J5 |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 5 V Intel StrataFlash Memory(5V 64M位英特爾StrataFlash閃速存儲(chǔ)器) |
| 中文描述： | 5伏特英特爾StrataFlash存儲(chǔ)器（5V的6400位英特爾的StrataFlash閃速存儲(chǔ)器） |
| 文件頁數(shù)： | 51/53頁 |
| 文件大?。?/td> | 272K |
| 代理商： | 28F640J5 |
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E
6.7
28F320J5/28F640J5
51
PRELIMINARY
Block Erase, Program, and Lock-Bit Configuration Performance
(3,4)
#
Sym
Parameter
Notes
2,5,6,7
2
Typ
(1)
202
180
Max
480
TBD
Unit
μs
μs
W16
W16 t
WHQV3
t
EHQV3
Write Buffer Byte Program Time
Byte Program Time (Using Word/Byte
Program Command)
Block Program Time (Using Write to Buffer
Command)
Block Erase Time
2
0.8
TBD
sec
W16 t
WHQV4
t
EHQV4
W16 t
WHQV5
t
EHQV5
W16 t
WHQV6
t
EHQV6
W16 t
WHRH
t
EHRH
NOTES:
1.
Typical values measured at T
= +25 °C and nominal voltages. Assumes corresponding lock-bits are not set. Subject to
change based on device characterization.
2.
Excludes system-level overhead.
3.
These performance numbers are valid for all speed versions.
4.
Sampled but not 100% tested.
5.
These values are valid when the buffer is full, and the start address is aligned on a 32-byte boundary.
6.
Effective per-byte program time (t
WHQV1
, t
EHQV1
) is 6.3 μs/byte (typical).
7.
Effective per-word program time (t
WHQV2
, t
EHQV2
) is 12.6 μs/byte (typical).
2
0.7
TBD
sec
Set Lock-Bit Time
2
32
TBD
μs
Clear Block Lock-Bits Time
2
0.3
TBD
sec
Erase Suspend Latency Time to Read
26
35
μs
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 28F400B3 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE |
| 28F400BL-TB | 4-MBlT (256K x 16, 512K x 8) LOW-POWER BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| 28F400BV-TB | 4-MBIT (256K X 16, 512K X 8)SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| 28F400BX-TB | 4-MBIT (256K X 16, 512K X 8) BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| 28F410-100M1 | 4M-BIT (512K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 28F640L18 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:StrataFlash Wireless Memory |
| 28F640L30 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:1.8 Volt Intel StrataFlash㈢ Wireless Memory with 3.0-Volt I/O (L30) |
| 28F640P3 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Embedded Memory |
| 28F640W30 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
| 28F650 | 制造商:Cinch Connectors 功能描述:1 Lug Terminal Strip |
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