- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄371435 > 28F640J5 (Intel Corp.) 5 V Intel StrataFlash Memory(5V 64M位英特爾StrataFlash閃速存儲器) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 28F640J5 |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 5 V Intel StrataFlash Memory(5V 64M位英特爾StrataFlash閃速存儲器) |
| 中文描述： | 5伏特英特爾StrataFlash存儲器（5V的6400位英特爾的StrataFlash閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 23/53頁 |
| 文件大?。?/td> | 272K |
| 代理商： | 28F640J5 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁當(dāng)前第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁
E
4.2.5
28F320J5/28F640J5
23
PRELIMINARY
SYSTEM INTERFACE INFORMATION
The following device information can optimize system interface software.
Table 10. System Interface Information
Offset
Length
Description
Add.
Hex
Code
Value
1Bh
1
V
CC
logic supply minimum program/erase voltage
bits 0
–3 BCD 100 mV
bits 4–7 BCD volts
1B:
--45
4.5 V
1Ch
1
V
CC
logic supply maximum program/erase voltage
bits 0–3 BCD 100 mV
bits 4–7 BCD volts
1C:
--55
5.5 V
1Dh
1
V
PP
[programming] supply minimum program/erase voltage
bits 0–3 BCD 100 mV
bits 4–7 HEX volts
1D:
--00
0.0 V
1Eh
1
V
PP
[programming] supply maximum program/erase voltage
bits 0–3 BCD 100 mV
bits 4–7 HEX volts
1E:
--00
0.0 V
1Fh
1
“n” such that typical single word program time-out = 2
n
μs
1F:
--07
128 μs
20h
1
“n” such that typical max. buffer write time-out = 2
n
μs
20:
--07
128 μs
21h
1
“n” such that typical block erase time-out = 2
n
ms
21:
--0A
1 s
22h
1
“n” such that typical full chip erase time-out = 2
n
ms
22:
--00
NA
23h
1
“n” such that maximum word program time-out = 2
n
times
typical
23:
--04
192 μs
24h
1
“n” such that maximum buffer write time-out = 2
n
times typical
24:
--04
192 μs
25h
1
“n” such that maximum block erase time-out = 2
n
times typical
25:
--04
16 s
26h
1
“n” such that maximum chip erase time-out = 2
n
times typical
26:
--00
NA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 28F400B3 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE |
| 28F400BL-TB | 4-MBlT (256K x 16, 512K x 8) LOW-POWER BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| 28F400BV-TB | 4-MBIT (256K X 16, 512K X 8)SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| 28F400BX-TB | 4-MBIT (256K X 16, 512K X 8) BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| 28F410-100M1 | 4M-BIT (512K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 28F640L18 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:StrataFlash Wireless Memory |
| 28F640L30 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:1.8 Volt Intel StrataFlash㈢ Wireless Memory with 3.0-Volt I/O (L30) |
| 28F640P3 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Embedded Memory |
| 28F640W30 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
| 28F650 | 制造商:Cinch Connectors 功能描述:1 Lug Terminal Strip |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。