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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 28F200B5 |
| 廠(chǎng)商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 5V Boot Block Flash Memory(5 V 引導(dǎo)塊閃速存儲(chǔ)器) |
| 中文描述： | 5V的啟動(dòng)塊閃存（5伏引導(dǎo)塊閃速存儲(chǔ)器） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 31/44頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 345K |
| 代理商： | 28F200B5 |
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E
5.5
28F200B5, 28F004/400B5, 28F800B5
31
PRELIMINARY
DC Characteristics
—Automotive Temperature
(Continued)
Sym
Parameter
Notes
Min
Typ
Max
Unit
Test Conditions
I
PPE
V
PP
Erase Current
1
15
25
mA
V
PP
= V
PPH
V
PP
= V
PPH
1 (at 5 V)
Block Erase in Progress
10
20
mA
V
PP
= V
PPH
V
PP
= V
PPH
2 (at 12 V)
Block Erase in Progress
I
PPES
V
PP
Erase Suspend
Current
1
50
200
μA
V
PP
= V
PPH
Block Erase Suspend
in Progress
I
RP#
RP# Boot Block Unlock
Current
1,4
500
μA
RP# = V
HH
V
PP
= 12 V
A
9
= V
ID
I
ID
A
9
Intelligent Identifier
Current
1,4
500
μA
V
ID
A
9
Intelligent Identifier
Voltage
11.4
12.6
V
V
IL
V
IH
Input Low Voltage
–0.5
0.8
V
Input High Voltage
2.0
V
CC
±
0.5V
V
V
OL
Output Low Voltage
(TTL)
0.45
V
V
CC
= V
CC
Min
V
PP
= 12 V
I
OL
= 5.8 mA
V
CC
= V
CC
Min
I
OH
= –1.5 mA
V
CC
= V
CC
Min
I
OH
= –100 μA
Complete Write
Protection
V
OH
1
Output High Voltage
(TTL)
2.4
V
V
OH
2
Output High Voltage
(CMOS)
V
CC
–
0.4 V
V
V
PPLK
V
PP
Lock-Out Voltage
3
0.0
1.5
V
V
PPH
1
V
PP
(Program/Erase
Operations)
4.5
5.5
V
V
PP
at 5 V
V
PPH
2
V
PP
(Program/Erase
Operations)
11.4
12.6
V
V
PP
at 12 V
V
LKO
V
CC
Program/Erase
Lock Voltage
2.0
V
V
HH
RP# Unlock Voltage
11.4
12.6
V
Boot Block Program/
Erase V
PP
= 12 V
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