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參數資料
| 型號： | 28F020 |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 5 V Bulk Erase Flash Memory(5V 整體擦寫閃速存儲器) |
| 中文描述： | 5伏體擦除閃存（5V的整體擦寫閃速存儲器） |
| 文件頁數： | 39/47頁 |
| 文件大?。?/td> | 758K |
| 代理商： | 28F020 |
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E
4.15
28F010/28F020
39
AC Characteristics
—28F020—Write/Erase/Program Only Operations
(1)
Commercial and Extended Temperature Products
Versions
28F020-90
(4)
28F020-120
(4)
28F020-150
(4)
Symbol
Characteristics
Notes
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Unit
t
AVAV
/ t
WC
Write Cycle Time
90
120
150
ns
t
AVWL
/ t
AS
Address Set-Up Time
0
0
0
ns
t
WLAX
/ t
AH
Address Hold Time
40
40
40
ns
5
55
t
DVWH
/ t
DS
Data Set-Up Time
40
40
40
ns
5
55
55
t
WHDX
/ t
DH
Data Hold Time
10
10
10
ns
t
WHGL
Write Recovery Time before
Read
6
6
6
μs
t
GHWL
Read Recovery Time before
Write
2
0
0
0
ns
t
ELWL
/ t
CS
Chip Enable Set-Up Time
before Write
15
15
15
ns
t
WHEH
/ t
CH
Chip Enable Hold Time
0
0
0
ns
t
WLWH
/ t
WP
Write Pulse Width
40
60
60
ns
5
55
55
t
WHWL
/
t
WPH
Write Pulse Width High
20
20
20
ns
t
WHWH1
Duration of Programming
Operation
3
10
10
10
μs
t
WHWH2
Duration of Erase Operation
3
9.5
9.5
9.5
ms
t
VPEL
V
PP
Set-Up Time to Chip
Enable Low
2
1
1
1
μs
NOTES:
1.
Read timing characteristics during read/write operations are the same as during read-only operations. Refer to AC
Characteristics for Read-Only Operations
Guaranteed by design.
The integrated stop timer terminates the programming/erase operations, thus eliminating the need for a maximum
specification.
See Testing Input/Output Waveform(Figure 6) and AC Testing Load Circuit(Figure 7) for testing characteristics.
Minimum Specification for Extended Temperature product.
2.
3.
4.
5.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| 28F020N12 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 28F020N-15 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 28F020N-90 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
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