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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 28F020 |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 5 V Bulk Erase Flash Memory(5V 整體擦寫閃速存儲(chǔ)器) |
| 中文描述： | 5伏體擦除閃存（5V的整體擦寫閃速存儲(chǔ)器） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 32/47頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 758K |
| 代理商： | 28F020 |
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28F010/28F020
E
32
4.10
DC Characteristics
—28F010—CMOS Compatible
Extended Temperature Products
(Continued)
Limits
Symbol
Parameter
Notes
Min
Typ
(3)
Max
Unit
Test Conditions
V
ID
A
9
Intelligent Identifier
Voltage
11.50
13.00
V
I
ID
A
9
Intelligent Identifier
Current
1, 2
90
500
μA
A
9
= V
ID
V
PPL
V
PP
during Read-Only
Operations
0.00
6.5
V
NOTE:
Erase/Programs are
Inhibited when V
PP
= V
PPL
V
PPH
V
PP
during Read/Write
Operations
11.40
12.60
V
V
LKO
V
CC
Erase/Write Lock
Voltage
2.5
V
NOTE:
Refer to Section 4.4.
4.11
DC Characteristics
—28F020—CMOS Compatible
Extended Temperature Products
Limits
Symbol
Parameter
Notes
Min
Typ
(3)
Max
Unit
Test Conditions
I
LI
Input Leakage Current
1
±1.0
μA
V
CC
= V
CC
Max
V
IN
= V
CC
or V
SS
I
LO
Output Leakage Current
1
±10
μA
V
CC
= V
CC
Max
V
OUT
= V
CC
or
V
SS
I
CCS
V
CC
Standby Current
1
50
100
μA
V
CC
= V
CC
Max
CE# = V
CC
±0.2 V
I
CC1
V
CC
Active Read Current
1
10
50
mA
V
CC
= V
CC
Max CE# = V
IL
f = 6 MHz
I
OUT
= 0 mA
I
CC2
V
CC
Programming Current
1, 2
1.0
10
mA
Programming in Progress
I
CC3
V
CC
Erase Current
1, 2
5.0
30
mA
Erasure in Progress
I
CC4
V
CC
Program- Verify
Current
1, 2
5.0
30
mA
V
PP
= V
PPH
Program Verify in
Progress
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