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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 28F020 |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 5 V Bulk Erase Flash Memory(5V 整體擦寫閃速存儲(chǔ)器) |
| 中文描述： | 5伏體擦除閃存（5V的整體擦寫閃速存儲(chǔ)器） |
| 文件頁數(shù)： | 26/47頁 |
| 文件大小： | 758K |
| 代理商： | 28F020 |
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28F010/28F020
E
26
4.7
DC Characteristics
—28F020—CMOS Compatible
Commercial Products
(Continued)
Limits
Symbol
Parameter
Notes
Min
Typ
(3)
Max
Unit
Test Conditions
I
PP1
V
PP
Read Current,
ID Current or Standby
Current
1
90
200
μA
V
PP
> V
CC
±10
V
PP
≤
V
CC
I
PP2
V
PP
Programming
Current
1, 2
8
30
mA
V
PP
= V
PPH
Programming in
Progress
I
PP3
V
PP
Erase Current
1, 2
10
30
mA
V
PP
= V
PPH
Erasure in
Progress
I
PP4
V
PP
Program Verify
Current
1, 2
2.0
5.0
mA
V
PP
= V
PPH
Program Verify in
Progress
I
PP5
V
PP
Erase Verify Current
1, 2
2.0
5.0
mA
V
PP
= V
PPH
Erase Verify in Progress
V
IL
Input Low Voltage
–0.5
0.8
V
V
IH
Input High Voltage
0.7
V
CC
V
CC
+
0.5
V
V
OL
Output Low Voltage
0.45
V
V
CC
= V
CC
Min
I
OL
= 5.8 mA
V
OH1
Output High Voltage
0.85
V
CC
V
V
CC
= V
CC
Min
I
OH
= –2.5 mA
V
OH2
V
CC
– 0.4
V
CC
= V
CC
Min
I
OH
= –100 μA
V
ID
A
Intelligent Identifier
Voltage
11.5
0
13.00
V
I
ID
A
Intelligent Identifier
Current
1, 2
90
200
μA
A
9
= V
ID
V
PPL
V
PP
during Read-Only
Operations
0.00
6.5
V
NOTE:
Erase/Programs are
Inhibited when V
PP
= V
PPL
V
PPH
V
PP
during Read/Write
Operations
11.4
0
12.60
V
V
LKO
V
CC
Erase/Write Lock
Voltage
2.5
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 28F020-150 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 28F020G12 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 28F020N12 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 28F020N-15 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 28F020N-90 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
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