參數(shù)資料
型號(hào): 28F020
廠商: Intel Corp.
英文描述: 5 V Bulk Erase Flash Memory(5V 整體擦寫(xiě)閃速存儲(chǔ)器)
中文描述: 5伏體擦除閃存(5V的整體擦寫(xiě)閃速存儲(chǔ)器)
文件頁(yè)數(shù): 30/47頁(yè)
文件大小: 758K
代理商: 28F020
28F010/28F020
E
30
4.9
DC Characteristics
—TTL/NMOS Compatible
Extended Temperature Products
(Continued)
Limits
Symbol
Parameter
Notes
Min
Typ
(3)
Max
Unit
Test Conditions
I
PP5
V
PP
Erase Verify Current
1, 2
2.0
5.0
mA
V
PP
= V
PPH
Erase Verify in Progress
V
IL
Input Low Voltage
–0.5
0.8
V
V
IH
Input High Voltage
2.0
V
CC
+
0.5
V
V
OL
Output Low Voltage
0.45
V
V
CC
= V
CC
Min
I
OH
= –2.5 mA
V
OH1
Output High Voltage
2.4
V
V
CC
= V
CC
Min
I
OL
= 5.8 mA
V
ID
A
Intelligent Identifier
Voltage
11.50
13.00
V
I
ID
A
Intelligent Identifier
Current
1, 2
90
500
μA
A
9
= V
ID
V
PPL
V
PP
during Read-Only
Operations
0.00
6.5
V
NOTE:
Erase/Program are
Inhibited when V
PP
= V
PPL
V
PPH
V
PP
during Read/Write
Operations
11.40
12.60
V
V
LKO
V
CC
Erase/Write Lock
Voltage
2.5
V
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PDF描述
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