參數(shù)資料
型號(hào)： 28F020
廠(chǎng)商： Intel Corp.
英文描述： 5 V Bulk Erase Flash Memory(5V 整體擦寫(xiě)閃速存儲(chǔ)器)
中文描述： 5伏體擦除閃存（5V的整體擦寫(xiě)閃速存儲(chǔ)器）
文件頁(yè)數(shù)： 23/47頁(yè)
文件大?。?/td> 758K
代理商： 28F020
E
4.5
28F010/28F020
23
DC Characteristics
—29F020—TTL/NMOS Compatible
Commercial Products
(Continued)
Limits
Symbol
Parameter
Notes
Min
Typ
(3)
Max
Unit
Test Conditions
V
IL
Input Low Voltage
–0.5
0.8
V
V
IH
Input High Voltage
2.0
V
CC
+
0.5
V
V
OL
Output Low Voltage
0.45
V
V
CC
= V
CC
Min I
OL
= 5.8 mA
V
OH1
Output High Voltage
2.4
V
V
CC
= V
CC
Min I
OH
= –2.5 mA
V
ID
A
Intelligent Identifier
Voltage
11.50
13.00
V
I
ID
A
Intelligent Identifier
Current
1, 2
90
200
μA
A
9
= V
ID
V
PPL
V
PP
during Read-Only
Operations
0.00
6.5
V
NOTE:
Erase/Program are
Inhibited when V
PP
= V
PPL
V
PPH
V
PP
during Read/Write
Operations
11.40
12.60
V
V
LKO
V
CC
Erase/Write Lock
Voltage
2.5
V
NOTES:
1.
All currents are in RMS unless otherwise noted. Typical values at V
CC
= 5.0 V, V
PP
= 12.0 V, T = 25 °C. These currents are
valid for all product versions (packages and speeds).
Not 100% tested: Characterization data available.
“Typicals” are not guaranteed, but based on a limited number of samples from production lots.
2.
3.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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28F1602C3 3 Volt Advanced+ Stacked Chip Scale Package Memory(3V閃速存儲(chǔ)器和靜態(tài)存儲(chǔ)器)
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28F020N-90 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
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