參數(shù)資料
型號(hào)： W19B160BTBBM
廠商： WINBOND ELECTRONICS CORP
元件分類： PROM
英文描述： 1M X 16 FLASH 2.7V PROM, 11 ns, PBGA48
封裝： 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-48
文件頁數(shù)： 37/48頁
文件大小： 534K
代理商： W19B160BTBBM
W19B160BT/B DATA SHEET
- 42 -
10.9 Temporary Sector Unprotect Timing Diagram
TRSP
TVIDR
Program or Erase Command Sequence
#RESET
#CE
#WE
RY/#BY
0 or 3V
12V
10.10 Sector Protect and Unprotect Timing Diagram
DATA
Valid*
A1,A0
SA,A6,
#RESET
Sector Protect:150μs,
Sector Unprotect:15ms
1μs
Sector Protect or Unprotect
VID
VIH
60h
Valid*
40h
Verify
Status
#CE
#WE
#OE
Note: For sector protect, A6=0, A1=1, A0=0.
For sector unprotect, A6=1, A1=1, A0=0.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
W7MG21M32SVB70BNC 2M X 32 FLASH 3.3V PROM MODULE, 70 ns, SMA80
W3EG7264S202AD4 DDR DRAM MODULE, DMA200
W3E232M16S-200STIG 64M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66
W3E232M16S-400STI 64M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66
W3EG6418S263D3 16M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA184
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
W19B160BTBH7H 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory
W19B160BTBM7H 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory
W19B160BTT7H 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:2.7~3.6-volt write (program and erase) operations, Fast write operation
W19B160TB7H7H 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory
W19B160TB7M7H 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*