參數(shù)資料
型號(hào)： W19B160BTBBM
廠商： WINBOND ELECTRONICS CORP
元件分類： PROM
英文描述： 1M X 16 FLASH 2.7V PROM, 11 ns, PBGA48
封裝： 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-48
文件頁(yè)數(shù)： 18/48頁(yè)
文件大小： 534K
代理商： W19B160BTBBM
W19B160BT/B DATA SHEET
Publication Release Date:Jan.04, 2008
- 25 -
Revision A5
8. The fourth cycle of the auto select command sequence is a read cycle.
9. The data is 00h for an unprotected sector and 01h for a protected sector.
10. Command is valid when device is ready to read array data or when device is in auto select mode.
11. See Auto-select Codes table for device ID information.
8.9
Write Operation Status
STATUS
DQ7
(NOTE 2)
DQ6
DQ5
(NOTE1)
DQ3
DQ2
(NOTE 2)
RY/#BY
Embedded Program Algorithm
#DQ7
Toggle
0
N/A
No toggle
0
Standard
Mode
Embedded Erase Algorithm
0
Toggle
0
1
Toggle
0
Erase Suspended Sector
1
No toggle
0
N/A
Toggle
1
Erase-
Suspend-
Read
Non-Erase Suspended
Sector
Data
1
Erase
Suspend
Mode
Erase-Suspend-Program
#DQ7
Toggle
0
N/A
0
Notes:
1. DQ5 switches to ‘1’ when an Embedded Program or Embedded Erase operation has exceeded the maximum timing
limits. Refer to the section on DQ5 for more information.
2. DQ7 and DQ2 requires a valid address when reading status information. Please refer to related sections for details.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
W7MG21M32SVB70BNC 2M X 32 FLASH 3.3V PROM MODULE, 70 ns, SMA80
W3EG7264S202AD4 DDR DRAM MODULE, DMA200
W3E232M16S-200STIG 64M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66
W3E232M16S-400STI 64M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66
W3EG6418S263D3 16M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA184
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
W19B160BTBH7H 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory
W19B160BTBM7H 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory
W19B160BTT7H 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:2.7~3.6-volt write (program and erase) operations, Fast write operation
W19B160TB7H7H 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory
W19B160TB7M7H 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory
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