參數(shù)資料
型號： W19B160BTBBM
廠商： WINBOND ELECTRONICS CORP
元件分類： PROM
英文描述： 1M X 16 FLASH 2.7V PROM, 11 ns, PBGA48
封裝： 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-48
文件頁數(shù)： 36/48頁
文件大小： 534K
代理商： W19B160BTBBM
W19B160BT/B DATA SHEET
Publication Release Date:Jan.04, 2008
- 41 -
Revision A5
10.7 #Data Polling Waveform (During Embedded Algorithms)
TRC
Valid Data
VA
TCE
TACC
TOE
T OEH
TBUSY
TOH
TCH
TDF
Addresses
DQ0-DQ6
VA
Valid Data
High Z
DQ7
Status Data
Complement
True
Status Data
Complement
True
RY/#BY
#WE
#OE
#CE
Note :
VA= Valid Address. Illustration shows first status cycle after command sequence, last status read cycle, and array data
read cycle.
10.8 Toggle Bit Waveform (During Embedded Algorithms)
Addresses
DQ6
TDF
TOEH
TCH
TCE
TRC
TACC
RY/#BY
#WE
#OE
#CE
TBUSY
(stop toggling)
(second read)
(first read)
Valid Status
VA
TOH
High Z
VA
TOE
Note :
VA= Valid address;not requires for DQ6. Illustration shows status cycle after command sequence, last status read cycle,
and array data read cycle.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
W7MG21M32SVB70BNC 2M X 32 FLASH 3.3V PROM MODULE, 70 ns, SMA80
W3EG7264S202AD4 DDR DRAM MODULE, DMA200
W3E232M16S-200STIG 64M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66
W3E232M16S-400STI 64M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66
W3EG6418S263D3 16M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA184
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
W19B160BTBH7H 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory
W19B160BTBM7H 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory
W19B160BTT7H 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:2.7~3.6-volt write (program and erase) operations, Fast write operation
W19B160TB7H7H 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory
W19B160TB7M7H 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory
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