- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄245706 > W19B160BTBBM (WINBOND ELECTRONICS CORP) 1M X 16 FLASH 2.7V PROM, 11 ns, PBGA48 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | W19B160BTBBM |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 1M X 16 FLASH 2.7V PROM, 11 ns, PBGA48 |
| 封裝： | 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-48 |
| 文件頁數(shù)： | 24/48頁 |
| 文件大?。?/td> | 534K |
| 代理商： | W19B160BTBBM |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁當(dāng)前第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁
W19B160BT/B DATA SHEET
- 30 -
8.15 Toggle Bit Algorithm
START
Read DQ7-DQ0
Toggle Bit
No
DQ5=1?
Yes
No
Toggle Bit
Read DQ7-DQ0
Twice
Yes
No
Read DQ7-DQ0
=Toggle?
Program/Erase
Operation Not
Complete,Write
Reset Command
Program/Erase
Complete
(Note 1)
(Notes
1, 2)
Notes:
1.
Read toggle bit twice to determine whether or not it is toggling.
2. Recheck toggle bit because it may stop toggling as DQ5 changes to “1.”
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W7MG21M32SVB70BNC | 2M X 32 FLASH 3.3V PROM MODULE, 70 ns, SMA80 |
| W3EG7264S202AD4 | DDR DRAM MODULE, DMA200 |
| W3E232M16S-200STIG | 64M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
| W3E232M16S-400STI | 64M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
| W3EG6418S263D3 | 16M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA184 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W19B160BTBH7H | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory |
| W19B160BTBM7H | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory |
| W19B160BTT7H | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:2.7~3.6-volt write (program and erase) operations, Fast write operation |
| W19B160TB7H7H | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory |
| W19B160TB7M7H | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。