型號: | W19B160BTBBM |
廠商: | WINBOND ELECTRONICS CORP |
元件分類: | PROM |
英文描述: | 1M X 16 FLASH 2.7V PROM, 11 ns, PBGA48 |
封裝: | 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-48 |
文件頁數(shù): | 16/48頁 |
文件大?。?/td> | 534K |
代理商: | W19B160BTBBM |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
W7MG21M32SVB70BNC | 2M X 32 FLASH 3.3V PROM MODULE, 70 ns, SMA80 |
W3EG7264S202AD4 | DDR DRAM MODULE, DMA200 |
W3E232M16S-200STIG | 64M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
W3E232M16S-400STI | 64M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
W3EG6418S263D3 | 16M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA184 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
W19B160BTBH7H | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory |
W19B160BTBM7H | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory |
W19B160BTT7H | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:2.7~3.6-volt write (program and erase) operations, Fast write operation |
W19B160TB7H7H | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory |
W19B160TB7M7H | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory |