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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | VG36128161BFL-7L |
| 廠商： | VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA54 |
| 封裝： | 10 X 9 MM, VFBGA-54 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 63/69頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1335K |
| 代理商： | VG36128161BFL-7L |
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Document :1G5-0183
Rev.5
Page 66
VIS
VG36128401B / VG36128801B / VG36128161B
CMOS Synchronous Dynamic RAM
T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7
T8 T9 T10 T11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22
Precharge Termination of a Burst (1 of 2)
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
A10
ADD
DQM
DQ
t
CK2
Burst Length=8, CAS Latency=2
Activate
Bank A
Command
Write
Hi-Z
Command
RAa
Bank A
Activate
Command
Bank A
Read
Command
Bank A
RAc
CAb
RAb
RAc
Precharge Termination
of a Write Burst. Write
data is masked.
Precharge
Command
Read
Command
Bank A
Precharge
Command
Bank A
Precharge Termination
High
RAa
CAc
CAa
QAa1
QAa0
QAa2
Da3
QAb0
QAb1
QAb2
QAc0
QAc1
QAc2
t
DPL
t
RP
t
RP
t
RP
Bank A
of a Read Burst.
Activate
Command
Bank A
Precharge
Command
Bank A
* BS1=
”L”, Bank C,D = Idle
*BS0
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PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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