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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | VG36128161BFL-7L |
| 廠(chǎng)商： | VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA54 |
| 封裝： | 10 X 9 MM, VFBGA-54 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 22/69頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1335K |
| 代理商： | VG36128161BFL-7L |
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Document :1G5-0183
Rev.5
Page 29
VIS
VG36128401B / VG36128801B / VG36128161B
CMOS Synchronous Dynamic RAM
T0 T1 T2 T3 T4 T5
T6 T7 T8
T9 T10 T11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22
t
CH
t
CL
t
CKS
t
CMS
t
CMH
tAS
tAH
Begin Auto Precharge
Bank A
Begin Auto Precharge
Bank B
t
CKH
t
CK2
AC Parameters for Write Timing (1 of 2)
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
*BS0
A10
ADD
DQM
DQ
tRCD
t
RRD
t
RC
t
DAL
QAa0 QAa1 QAa2 QAa3 QBa0 QBa1 QBa2 QBa3 QAb0 QAb1 QAb2 QAb3
Activate
Command
Bank A
Write with
Auto Precharge
Command
Bank A
Activate
Command
Bank B
Write with
Auto Precharge
Command
Bank B
Activate
Command
Bank A
Write without
Auto Precharge
Command
Bank A
t
DS
t
DH
t
DPL
RP
t
Precharge
Command
Bank A
Activate
Command
Bank A
Burst Length=4, CAS Latency=2
Activate
Command
Bank B
AC Parameters for Write Timing (1 of 2)
* BS1=
”L”, Bank C,D = Idle
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