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參數(shù)資料
| 型號： | V54C316162VB |
| 廠商： | Mosel Vitelic, Corp. |
| 英文描述： | High Performance 3.3 Volt 1M X 16 Synchronous DRAM(3.3V高性能1Mx16同步動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 高性能3.3伏100萬× 16同步DRAM（3.3V的高性能1Mx16同步動態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 21/61頁 |
| 文件大?。?/td> | 571K |
| 代理商： | V54C316162VB |
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21
V54C316162VB Rev. 1.0 July 1998
MOSEL V ITELIC
V54C316162VB
8.1 Termination of a Full Page Burst Read Operation
(CAS latency = 1, 2, 3)
8.2 Termination of a Full Page Burst Write Operation
(CAS latency = 1, 2, 3)
COMMAND
READ A
NOP
NOP
NOP
Burst
Stop
NOP
NOP
NOP
NOP
t
CK1,
I/O’s
CAS latency = 1
t
CK2,
I/O’s
CAS latency = 2
t
CK3,
I/O’s
CAS latency = 3
CLK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
The burst ends after a delay equal to the CAS latency.
DOUT A0
DOUT A1
DOUT A2
DOUT A3
DOUT A0
DOUT A1
DOUT A2
DOUT A3
DOUT A0
DOUT A1
DOUT A2
DOUT A3
COMMAND
NOP
WRITE A
NOP
NOP
Burst
Stop
NOP
NOP
NOP
NOP
DIN A0
DIN A1
DIN A2
CLK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
Input data for the Write is masked.
I/O’s
CAS latency = 1,2,3
don’t care
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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