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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | V54C316162VB |
| 廠(chǎng)商： | Mosel Vitelic, Corp. |
| 英文描述： | High Performance 3.3 Volt 1M X 16 Synchronous DRAM(3.3V高性能1Mx16同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 高性能3.3伏100萬(wàn)× 16同步DRAM（3.3V的高性能1Mx16同步動(dòng)態(tài)RAM）的 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 18/61頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 571K |
| 代理商： | V54C316162VB |
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18
V54C316162VB Rev. 1.0 July 1998
MOSEL V ITELIC
V54C316162VB
4.2 Minimum Read to Write Interval
(Burst Length = 4, CAS latency = 1, 2)
4.3 Non-Minimum Read to Write Interval
(Burst Length = 4, CAS latency = 3
COMMAND
NOP
BANK A
ACTIVATE
NOP
READ A
WRITE A
NOP
NOP
NOP
DQM
DIN A0
DIN A1
DIN A2
DIN A3
DIN A0
DIN A1
DIN A2
DIN A3
Must be Hi-Z before
the Write Command
t
CK1,
I/O’s
CAS latency = 1
t
CK2,
I/O’s
CAS latency = 2
CLK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
NOP
1 Clk Interval
t
DQZ
t
DQW
: “H” or “L”
NOP
READ A
NOP
NOP
READ A
NOP
WRITE B
NOP
NOP
DQM
DIN B0
DIN B1
DIN B2
t
CK1,
I/O’s
CAS latency = 1
t
CK2,
I/O’s
CAS latency = 2
CLK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
DOUT A1
DOUT A0
DOUT A0
DIN B0
DIN B1
DIN B2
COMMAND
DIN B0
DIN B1
DIN B2
DOUT A2
DOUT A1
DOUT A0
Must be Hi-Z before
the Write Command
t
CK3,
I/O’s
CAS latency = 3
t
DQZ
t
DQW
: “H” or “L”
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| V54C316162VC-55 | 200/183/166/143 MHz 3.3 VOLT, 2K REFRESH ULTRA HIGH PERFORMANCE 1M X 16 SDRAM 2 BANKS X 512Kbit X 16 |
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