參數(shù)資料
型號(hào)： V54C316162VB
廠商： Mosel Vitelic, Corp.
英文描述： High Performance 3.3 Volt 1M X 16 Synchronous DRAM(3.3V高性能1Mx16同步動(dòng)態(tài)RAM)
中文描述： 高性能3.3伏100萬(wàn)× 16同步DRAM（3.3V的高性能1Mx16同步動(dòng)態(tài)RAM）的
文件頁(yè)數(shù)： 16/61頁(yè)
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代理商： V54C316162VB
16
V54C316162VB Rev. 1.0 July 1998
MOSEL V ITELIC
V54C316162VB
1. Bank Activate Command Cycle
(CAS latency = 3)
2. Burst Read Operation
(Burst Length = 4, CAS latency = 1, 2, 3)
T0
T1
ADDRESS
CLK
T0
T
T1
T
T
T
T
COMMAND
NOP
NOP
NOP
Bank A
Row Addr.
Bank A
Activate
Write A
Precharge
Bank A
Col. Addr.
. . . . . . . . . .
. . . . . . . . . .
. . . . . . . . . .
Bank B
Activate
Bank A
Row Addr.
Bank A
Activate
t
RCD
: “H” or “L”
t
RC
t
RRD
Bank B
Row Addr.
COMMAND
READ A
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
DOUT A0
CAS latency = 1
t
CK1,
I/O’s
t
CK2,
I/O’s
CAS latency = 2
t
CK3,
I/O’s
CAS latency = 3
DOUT A1
DOUT A2
DOUT A3
NOP
CLK
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
DOUT A0
DOUT A1
DOUT A2
DOUT A3
DOUT A0
DOUT A1
DOUT A2
DOUT A3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
V54C316162 200/183/166/143 MHz 3.3 VOLT, 4K REFRESH ULTRA HIGH PERFORMANCE 1M X 16 SDRAM 2 BANKS X 512Kbit X 16
V54C316162VC-5 200/183/166/143 MHz 3.3 VOLT, 2K REFRESH ULTRA HIGH PERFORMANCE 1M X 16 SDRAM 2 BANKS X 512Kbit X 16
V54C316162VC-55 200/183/166/143 MHz 3.3 VOLT, 2K REFRESH ULTRA HIGH PERFORMANCE 1M X 16 SDRAM 2 BANKS X 512Kbit X 16
V54C316162VC-6 200/183/166/143 MHz 3.3 VOLT, 2K REFRESH ULTRA HIGH PERFORMANCE 1M X 16 SDRAM 2 BANKS X 512Kbit X 16
V54C316162VC-7 200/183/166/143 MHz 3.3 VOLT, 2K REFRESH ULTRA HIGH PERFORMANCE 1M X 16 SDRAM 2 BANKS X 512Kbit X 16
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參數(shù)描述
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V54C316162VC-5 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:200/183/166/143 MHz 3.3 VOLT, 2K REFRESH ULTRA HIGH PERFORMANCE 1M X 16 SDRAM 2 BANKS X 512Kbit X 16
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