- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄381122 > STR912FAW32H6T (意法半導(dǎo)體) ARM966E-S⑩ 16/32-Bit Flash MCU with Ethernet, USB, CAN, AC motor control, 4 timers, ADC, RTC, DMA PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | STR912FAW32H6T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | ARM966E-S⑩ 16/32-Bit Flash MCU with Ethernet, USB, CAN, AC motor control, 4 timers, ADC, RTC, DMA |
| 中文描述： | ARM966E -虜⑩16/32位閃存微控制器與以太網(wǎng)，USB，加拿大，交流電機控制，4個定時器，模數(shù)轉(zhuǎn)換器，RTC和DMA的 |
| 文件頁數(shù)： | 68/99頁 |
| 文件大?。?/td> | 979K |
| 代理商： | STR912FAW32H6T |
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Electrical characteristics
STR91xFAx32 STR91xFAx42 STR91xFAx44
68/99
7.8.2
Flash memory characteristics
V
DDQ
= 2.7 - 3.6V, V
DD
= 1.65 - 2V, T
A
= -40 / 85 °C unless otherwise specified.
Flash read access for sequential addresses is 0 wait states at 96 MHz.
Flash read access for non-sequential accesses requires 2 wait states when FMI clock is
above 66 MHz. See STR91xF Flash Programming Manual for more information.
Note:
Flash memory program/erase characteristics
Table 25.
Table 24.
Parameter
Test Conditions
Value
Unit
Typ
(1)
Typ after
100K W/E
cycles
(1)
Max
Bank erase
Primary Bank (512 Kbytes)
8
9
11.5
s
Primary Bank (256 Kbytes)
4
4.5
6
s
Secondary Bank (32 Kbytes)
700
750
950
ms
Sector erase
Of Primary Bank (64 Kbytes)
1300
1400
1800
ms
Of Secondary Bank (8 Kbytes)
300
320
450
ms
Bank program
Primary Bank (512 Kbytes)
3700
4700
5100
ms
Primary Bank (256 Kbytes)
1900
2000
2550
ms
Secondary Bank (32 Kbytes)
250
260
320
ms
Sector program
Of Primary Bank (64 Kbytes)
500
520
640
ms
Of Secondary Bank (8 Kbytes)
60
62
80
ms
Word program
Half word (16 bits)
8
9
11
μs
1.
V
DD
= 1.8V, V
DDQ
= 3.3V
,
T
A
= 25°C.
Flash memory endurance
Parameter
Test Conditions
Value
Unit
Min
Typ
Max
Program/erase cycles
Per word
100K
cycles
Data retention
20
years
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