參數(shù)資料
型號(hào): STH10NC60
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: N-CHANNEL 600V - 0.6ohm - 10A - TO-247/ISOWATT218 PowerMesh⑩II MOSFET
中文描述: N溝道600V的- 0.6ohm - 10A條- TO-247/ISOWATT218 PowerMesh第二MOSFET的⑩
文件頁(yè)數(shù): 8/16頁(yè)
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代理商: STH10NC60
STP10NK60Z/FP, STB10NK60Z, STB10NK60Z-1, STW10NK60Z, STH10NK60ZFI
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Fig. 5:
Test Circuit For Inductive Load Switching
And Diode Recovery Times
Fig. 4:
Gate Charge test Circuit
Fig. 2:
Unclamped Inductive Waveform
Fig. 1:
Unclamped Inductive Load Test Circuit
Fig. 3:
Switching Times Test Circuit For
Resistive Load
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STH10NC60FI N-CHANNEL 600V - 0.6ohm - 10A - TO-247/ISOWATT218 PowerMesh⑩II MOSFET
STH11020 TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 200V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-218AA
STH11022 TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 250V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-218AA
STI2002 TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 80V V(BR)CEO | TO-92
STI2003 Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:DO-214AA; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):No; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:320V; Capacitance:30pF; Holding Current:150mA; Leakage Current:5uA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STH10NC60FI 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 600V - 0.6ohm - 10A - TO-247/ISOWATT218 PowerMesh⑩II MOSFET
STH10NK60ZFI 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-218VAR
STH11020 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 200V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-218AA
STH11022 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 250V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-218AA
STH110N10F7-2 功能描述:MOSFET N-Ch 100V 6mOhm 110A STripFET VII RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube