參數(shù)資料
型號： STH10NC60
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 600V - 0.6ohm - 10A - TO-247/ISOWATT218 PowerMesh⑩II MOSFET
中文描述： N溝道600V的- 0.6ohm - 10A條- TO-247/ISOWATT218 PowerMesh第二MOSFET的⑩
文件頁數(shù)： 14/16頁
文件大小： 255K
代理商： STH10NC60
STP10NK60Z/FP, STB10NK60Z, STB10NK60Z-1, STW10NK60Z, STH10NK60ZFI
14/16
DIM.
mm.
TYP
inch
TYP.
MIN.
4.85
MAX.
5.15
MIN.
0.19
MAX.
0.20
A
D
2.20
2.60
0.08
0.10
E
0.40
0.80
0.015
0.03
F
1
1.40
0.04
0.05
F1
3
0.11
F2
2
0.07
F3
2
2.40
0.07
0.09
F4
3
3.40
0.11
0.13
G
10.90
0.43
H
15.45
15.75
0.60
0.62
L
19.85
20.15
0.78
0.79
L1
3.70
4.30
0.14
0.17
L2
18.50
0.72
L3
14.20
14.80
0.56
0.58
L4
34.60
1.36
L5
5.50
0.21
M
2
3
0.07
0.11
V
5o
5o
V2
60o
60o
Dia
3.55
3.65
0.14
0.143
TO-247 MECHANICAL DATA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STH10NC60FI N-CHANNEL 600V - 0.6ohm - 10A - TO-247/ISOWATT218 PowerMesh⑩II MOSFET
STH11020 TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 200V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-218AA
STH11022 TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 250V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-218AA
STI2002 TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 80V V(BR)CEO | TO-92
STI2003 Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:DO-214AA; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):No; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:320V; Capacitance:30pF; Holding Current:150mA; Leakage Current:5uA
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參數(shù)描述
STH10NC60FI 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 600V - 0.6ohm - 10A - TO-247/ISOWATT218 PowerMesh⑩II MOSFET
STH10NK60ZFI 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-218VAR
STH11020 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 200V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-218AA
STH11022 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 250V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-218AA
STH110N10F7-2 功能描述:MOSFET N-Ch 100V 6mOhm 110A STripFET VII RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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