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STI2003	Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:DO-214AA; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):No; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:320V; Capacitance:30pF; Holding Current:150mA; Leakage Current:5uA
STI3003D	Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:6-SOIC; Current, It av:2.2A; Reel Quantity:1500; Capacitance:30pF; Current Rating:2.2A; Forward Current:5A; Forward Voltage:640V; Holding Current:50uA; Mounting Type:Surface Mount
STI4061	DIODE TVS 9.1V 600W UNI-DIR
STI4062	DIODE TVS 100V 600W UNI 5% SMB
STI4065	DIODE TVS 100V 600W BIDIR 5% SMB

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STI2003

Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:DO-214AA; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):No; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:320V; Capacitance:30pF; Holding Current:150mA; Leakage Current:5uA

STI3003D

Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:6-SOIC; Current, It av:2.2A; Reel Quantity:1500; Capacitance:30pF; Current Rating:2.2A; Forward Current:5A; Forward Voltage:640V; Holding Current:50uA; Mounting Type:Surface Mount

STI4061

DIODE TVS 9.1V 600W UNI-DIR

STI4062

DIODE TVS 100V 600W UNI 5% SMB

STI4065

DIODE TVS 100V 600W BIDIR 5% SMB

相關代理商/技術參數(shù)	參數(shù)描述
STI2003	制造商:未知廠家制造商全稱:未知廠家功能描述:TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 100V V(BR)CEO \| 600MA I(C) \| TO-92
STI2006	制造商:未知廠家制造商全稱:未知廠家功能描述:TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 200V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-66
STI200N6F3	功能描述:MOSFET N-channel 60 V 120 A TO-22 RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STI205	制造商:未知廠家制造商全稱:未知廠家功能描述:TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 200V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-37VAR
STI20N65M5	制造商:STMicroelectronics 功能描述:POWER MOSFET - Rail/Tube 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-CH 650V 18A I2PAK 制造商:STMicroelectronics 功能描述:N-Ch 650 V 0.160 Ohm 18 A MDmesh(TM) V

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STI2003

制造商:未知廠家制造商全稱:未知廠家功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 100V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-92

STI2006

制造商:未知廠家制造商全稱:未知廠家功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-66

STI200N6F3

功能描述:MOSFET N-channel 60 V 120 A TO-22 RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

STI205

制造商:未知廠家制造商全稱:未知廠家功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-37VAR

STI20N65M5

制造商:STMicroelectronics 功能描述:POWER MOSFET - Rail/Tube 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-CH 650V 18A I2PAK 制造商:STMicroelectronics 功能描述:N-Ch 650 V 0.160 Ohm 18 A MDmesh(TM) V

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型號：	STI2002
英文描述：	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| TO-92
中文描述：	晶體管\|晶體管\|達林頓\|叩\| 80V的五（巴西）總裁\|到92
文件頁數(shù)：	1/1頁
文件大小：	161K
代理商：	STI2002

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