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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | STI2003 |
| 英文描述： | Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:DO-214AA; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):No; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:320V; Capacitance:30pF; Holding Current:150mA; Leakage Current:5uA |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|達(dá)林頓|叩| 100V的五（巴西）總裁| 600毫安一（c）|至92 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/1頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 161K |
| 代理商： | STI2003 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STI3003D | Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:6-SOIC; Current, It av:2.2A; Reel Quantity:1500; Capacitance:30pF; Current Rating:2.2A; Forward Current:5A; Forward Voltage:640V; Holding Current:50uA; Mounting Type:Surface Mount |
| STI4061 | DIODE TVS 9.1V 600W UNI-DIR |
| STI4062 | DIODE TVS 100V 600W UNI 5% SMB |
| STI4065 | DIODE TVS 100V 600W BIDIR 5% SMB |
| STI4066 | DIODE TVS 10V 600W BIDIR 5% SMB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STI2006 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-66 |
| STI200N6F3 | 功能描述:MOSFET N-channel 60 V 120 A TO-22 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STI205 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-37VAR |
| STI20N65M5 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:POWER MOSFET - Rail/Tube 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-CH 650V 18A I2PAK 制造商:STMicroelectronics 功能描述:N-Ch 650 V 0.160 Ohm 18 A MDmesh(TM) V |
| STI20NM65N | 功能描述:MOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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