參數(shù)資料
型號: STH11020
英文描述: TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 200V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-218AA
中文描述: 晶體管|晶體管|達林頓| npn型| 200伏五(巴西)總裁|第15A一(c)|至218AA
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代理商: STH11020
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STH11022 TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 250V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-218AA
STI2002 TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 80V V(BR)CEO | TO-92
STI2003 Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:DO-214AA; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):No; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:320V; Capacitance:30pF; Holding Current:150mA; Leakage Current:5uA
STI3003D Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:6-SOIC; Current, It av:2.2A; Reel Quantity:1500; Capacitance:30pF; Current Rating:2.2A; Forward Current:5A; Forward Voltage:640V; Holding Current:50uA; Mounting Type:Surface Mount
STI4061 DIODE TVS 9.1V 600W UNI-DIR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STH11022 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 250V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-218AA
STH110N10F7-2 功能描述:MOSFET N-Ch 100V 6mOhm 110A STripFET VII RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STH110N10F7-6 制造商:STMicroelectronics 功能描述:POWER MOSFET - Tape and Reel 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6
STH12N120K5-2 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):12A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):690 毫歐 @ 6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):44.2nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1370pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 凸片)變型 供應(yīng)商器件封裝:H2Pak-2 標(biāo)準包裝:1
STH12N60 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-218