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PDF目錄372331
> STH10NC60 (意法半導(dǎo)體) N-CHANNEL 600V - 0.6ohm - 10A - TO-247/ISOWATT218 PowerMesh⑩II MOSFET PDF資料下載
參數(shù)資料
型號:
STH10NC60
廠商:
意法半導(dǎo)體
英文描述:
N-CHANNEL 600V - 0.6ohm - 10A - TO-247/ISOWATT218 PowerMesh⑩II MOSFET
中文描述:
N溝道600V的- 0.6ohm - 10A條- TO-247/ISOWATT218 PowerMesh第二MOSFET的⑩
文件頁數(shù):
12/16頁
文件大?。?/td>
255K
代理商:
STH10NC60
第1頁
第2頁
第3頁
第4頁
第5頁
第6頁
第7頁
第8頁
第9頁
第10頁
第11頁
當(dāng)前第12頁
第13頁
第14頁
第15頁
第16頁
STP10NK60Z/FP, STB10NK60Z, STB10NK60Z-1, STW10NK60Z, STH10NK60ZFI
12/16
1
DIM.
mm.
inch
MIN.
TYP
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
4.4
4.6
0.173
0.181
A1
2.49
2.69
0.098
0.106
A2
0.03
0.23
0.001
0.009
B
0.7
0.93
0.027
0.036
B2
1.14
1.7
0.044
0.067
C
0.45
0.6
0.017
0.023
C2
1.23
1.36
0.048
0.053
D
8.95
9.35
0.352
0.368
D1
8
0.315
E
10
10.4
0.393
E1
8.5
0.334
G
4.88
5.28
0.192
0.208
L
15
15.85
0.590
0.625
L2
1.27
1.4
0.050
0.055
L3
1.4
1.75
0.055
0.068
M
2.4
3.2
0.094
0.126
R
0.4
0.015
V2
0o
8o
D
2
PAK MECHANICAL DATA
3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STH10NC60FI
N-CHANNEL 600V - 0.6ohm - 10A - TO-247/ISOWATT218 PowerMesh⑩II MOSFET
STH11020
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 200V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-218AA
STH11022
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 250V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-218AA
STI2002
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 80V V(BR)CEO | TO-92
STI2003
Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:DO-214AA; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):No; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:320V; Capacitance:30pF; Holding Current:150mA; Leakage Current:5uA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STH10NC60FI
制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 600V - 0.6ohm - 10A - TO-247/ISOWATT218 PowerMesh⑩II MOSFET
STH10NK60ZFI
制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-218VAR
STH11020
制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 200V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-218AA
STH11022
制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 250V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-218AA
STH110N10F7-2
功能描述:MOSFET N-Ch 100V 6mOhm 110A STripFET VII RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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