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參數(shù)資料
| 型號： | SST38VF166-70-4C-EK |
| 廠商： | SILICON STORAGE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | RECTIFIER BRIDGE 4A 600V 150A-ifsm 1V-vf 5uA-ir GBU 20/TUBE |
| 中文描述： | 1M X 16 FLASH 2.7V PROM, 70 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, TSOP-48 |
| 文件頁數(shù)： | 9/50頁 |
| 文件大小： | 691K |
| 代理商： | SST38VF166-70-4C-EK |
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Data Sheet
16 Megabit FlashBank Memory
SST38VF166
9
2001 Silicon Storage Technology, Inc.
327-3 2/01
S71065
TABLE
4: O
PERATION
M
ODES
S
ELECTION
FOR
F
LASH
B
ANK
Array Operation Mode
Read
Flash Bank 1
Flash Bank 2
Block-Erase
Flash Bank 1
Flash Bank 2
Sector-Erase
Flash Bank 1
Flash Bank 2
Program
Flash Bank 1
Flash Bank 2
Standby
Write Inhibit
Flash Bank 1
Flash Bank 2
Flash Bank-Erase
Flash Bank 1
Flash Bank 2
BE#1
BE#2
BE#3
OE#
WE#
DQ
Address
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
V
IH
D
OUT
D
OUT
A
IN
A
IN
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IL
V
IL
D
IN
D
IN
See Tables 6 and 7
See Tables 6 and 7
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IL
V
IL
D
IN
D
IN
See Tables 6 and 7
See Tables 6 and 7
V
IL
V
IH
V
IH
V
IH
V
IL
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
X
V
IL
V
IL
X
D
IN
D
IN
High Z
See Tables 6 and 7
See Tables 6 and 7
X
V
IH
X
X
X
X
V
IL
V
IL
V
IH
V
IH
X
X
X
X
V
IH
V
IL
V
IH
BE#1
V
IH
V
IL
V
IL
V
IL
X
V
IH
V
IL
BE#2
V
IH
V
IL
V
IL
X
V
IL
V
IH
V
IH
BE#3
V
IL
V
IL
X
V
IL
V
IL
V
IH
V
IH
OE#
V
IL
X
X
X
X
V
IL
V
IL
WE#
V
IH
X
X
X
X
D
IN
D
IN
DQ
D
OUT1
High Z
High Z
High Z
High Z
See Tables 6 and 7
See Tables 6 and 7
Status Operation Mode
Write Status Read
Illegal State
Illegal State
Illegal State
Illegal State
Product Identification
Flash Bank 1
Flash Bank 2
Common Flash Interface
Flash Bank 1
Flash Bank 2
Address
5XXXXH
X
2
X
2
X
2
X
2
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
V
IH
D
OUT
D
OUT
See Tables 6 and 7
See Tables 6 and 7
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
V
IH
D
OUT
D
OUT
See Tables 6 and 7
See Tables 6 and 7
T4.5 327
1. If Flash Bank 1 is writing, DQ
1
is low. If Flash Bank 2 is writing, DQ
2
is low. If E
2
Bank is writing, DQ
3
is low.
2. Entering an illegal state during an Erase, Program, or Write operation will not affect the operation, i.e., the erase, program, or write
will continue to normal completion.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SST39SF010A | 64 Mbit (x16) Multi-Purpose Flash Plus |
| SST39SF040-70-4C-WH | 64 Mbit (x16) Multi-Purpose Flash Plus |
| SST39SF040-70-4I-NH | 64 Mbit (x16) Multi-Purpose Flash Plus |
| SST39SF040-70-4I-PH | 64 Mbit (x16) Multi-Purpose Flash Plus |
| SST39SF040-70-4I-WH | 64 Mbit (x16) Multi-Purpose Flash Plus |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SST38VF6401-90-5C-B3KE | 功能描述:閃存 64M (4Mx16) 90ns 2.7-3.6V Commercial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST38VF6401-90-5C-EKE | 功能描述:閃存 64M (4Mx16) 90ns 2.7-3.6V Commercial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST38VF6401-90-5C-EKE-T | 功能描述:閃存 2.7 to 3.6V 64Mbit Parallel Adv MPF+ RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST38VF6401-90-5I-B3KE | 功能描述:閃存 2.7 to 3.6V 64Mbit Parallel Adv MPF+ RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST38VF6401-90-5I-B3KE-T | 制造商:Microchip Technology 功能描述:Flash Parallel 3.3V 64Mbit 4M x 16bit 90ns 48-Pin TFBGA T/R 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:2.7V TO 3.6V 64MBIT PM PARALLEL ADVANCED MPF+ - Tape and Reel 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:IC FLASH 64MBIT 90NS 48TFBGA 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:2.7Vto3.6V 64Mb ParAdvanced MPF+ |
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