參數(shù)資料
型號(hào)： SST38VF166-70-4C-EK
廠商： SILICON STORAGE TECHNOLOGY INC
元件分類： PROM
英文描述： RECTIFIER BRIDGE 4A 600V 150A-ifsm 1V-vf 5uA-ir GBU 20/TUBE
中文描述： 1M X 16 FLASH 2.7V PROM, 70 ns, PDSO48
封裝： 12 X 20 MM, TSOP-48
文件頁數(shù)： 17/50頁
文件大?。?/td> 691K
代理商： SST38VF166-70-4C-EK
Data Sheet
16 Megabit FlashBank Memory
SST38VF166
17
2001 Silicon Storage Technology, Inc.
327-3 2/01
S71065
AC CHARACTERISTICS
TABLE 21: R
EAD
C
YCLE
T
IMING
P
ARAMETERS
Symbol
T
RC
T
BE
T
AA
T
OE
T
CLZ1
T
OLZ1
T
CHZ1
T
OHZ1
T
OH1
Parameter
Read Cycle Time
Bank Enable Access Time
Address Access Time
Output Enable Access Time
CE# Low to Active Output
OE# Low to Active Output
CE# High to High-Z Output
OE# High to High-Z Output
Output Hold from Address Change
SST38VF166-70
Min
70
Units
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Max
70
70
30
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this parameter.
0
0
20
20
0
T21.1 327
TABLE 22: W
RITE
, E
RASE
, P
ROGRAM
C
YCLE
T
IMING
P
ARAMETERS
Symbol
T
WC
T
BPE
T
BPF
T
SEF
T
LEF
T
BEF
T
SEE
T
BEE
T
AS
T
AH
T
BES
T
BEH
T
OES
T
OEH
T
WP
T
WPH
T
DS
T
DH
T
VDDR1
T
DBR
T
TBR
T
IDA
T
BS
Parameter
Word-Write Cycle (Erase and Program)
Word-Program Time - E
2
Bank
Word-Program Time - Flash Bank
Sector-Erase Time - Flash Bank
Block-Erase Time - Flash Bank
Bank-Erase Time - Flash Bank
Sector-Erase Time - E
2
Bank
Bank-Erase Time - E
2
Bank
Address Setup Time
Address Hold Time
BE# Setup Time
BE# Hold Time
OE# High Setup Time
OE# High Hold Time
Write Pulse Low Width
Write Pulse High Time
Data Setup Time
Data Hold Time
V
DD
Rise Time
Time to DATA# Polling Read
Time to Toggle Bit Read
Time to ID or CFI Read/Exit Cycle
Bank Enable Setup Time for Concurrent Operation
Min
Max
12.5
40
20
25
25
100
12.5
100
Units
ms
μs
μs
ms
ms
ms
ms
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ns
ns
ns
ns
0
40
0
0
0
0
40
30
40
0
0.1
35
35
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this parameter.
50
150
0
T22.0 327
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SST38VF6401-90-5C-EKE 功能描述:閃存 64M (4Mx16) 90ns 2.7-3.6V Commercial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
SST38VF6401-90-5C-EKE-T 功能描述:閃存 2.7 to 3.6V 64Mbit Parallel Adv MPF+ RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
SST38VF6401-90-5I-B3KE 功能描述:閃存 2.7 to 3.6V 64Mbit Parallel Adv MPF+ RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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