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您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄365702 > SST38VF166-70-4C-EK (SILICON STORAGE TECHNOLOGY INC) RECTIFIER BRIDGE 4A 600V 150A-ifsm 1V-vf 5uA-ir GBU 20/TUBE PDF資料下載

參數(shù)資料

型號：	SST38VF166-70-4C-EK
廠商：	SILICON STORAGE TECHNOLOGY INC
元件分類：	PROM
英文描述：	RECTIFIER BRIDGE 4A 600V 150A-ifsm 1V-vf 5uA-ir GBU 20/TUBE
中文描述：	1M X 16 FLASH 2.7V PROM, 70 ns, PDSO48
封裝：	12 X 20 MM, TSOP-48
文件頁數(shù)：	14/50頁
文件大小：	691K
代理商：	SST38VF166-70-4C-EK

14

Data Sheet

16 Megabit FlashBank Memory

SST38VF166

2001 Silicon Storage Technology, Inc.

327-3 2/01

S71065

TABLE 14: CFI Q

UERY

I

DENTIFICATION

S

TRING

FOR

E

2

B

ANK

Address

10H

11H

12H

13H

14H

15H

16H

17H

18H

19H

1AH

Data

0051H

0052H

0059H

0001H

0009H

0000H

0000H

0000H

0000H

0000H

0000H

Data

Query Unique ASCII string

“

QRY

”

Primary OEM command set (JEP-137)

Address for Primary Extended Table (00H = none exists)

Alternate OEM command set (00H = none exists)

Address for Alternate OEM extended Table (00H = none exits)

T14.1 327

TABLE 15: S

YSTEM

I

NTERFACE

I

NFORMATION

FOR

E

2

B

ANK

Address

1BH

Data

0027H

Data

V

DD

Min (Program/Erase)

DQ

7

-DQ

4

: Volts, DQ

3

-DQ

0

: 100 millivolts

V

DD

Max (Program/Erase)

DQ

7

-DQ

4

: Volts, DQ

3

-DQ

0

: 100 millivolts

V

PP

min. (00H = no V

PP

pin)

V

PP

max. (00H = no V

PP

pin)

Typical time out for Word-Program 2

N

μs

Typical time out for min. size Page-Write 2

N

μs (00H = not supported)

Typical time out for individual Sector-Erase 2

N

ms

Typical time out for Bank-Erase 2

N

ms

Maximum time out for Word-Program 2

N

times typical

Maximum time out for Page-Write 2

N

times typical (00H = not supported)

Maximum time out for individual Sector-Erase 2

N

times typical

Maximum time out for Chip-Erase 2

N

times typical

1CH

0036H

1DH

1EH

1FH

20H

21H

22H

23H

24H

25H

26H

0000H

0000H

0005H

0000H

0003H

0006H

0001H

0000H

0001H

0001H

T15.7 327

TABLE 16: D

EVICE

G

EOMETRY

I

NFORMATION

FOR

E

2

B

ANK

Address

27H

28H

29H

2AH

2BH

2CH

2DH

2EH

2FH

30H

Data

000DH

0001H

0000H

0001H

0000H

0001H

007FH

0000H

0001H

0000H

Data

Device size = 2

N

Byte (DH > 2

13

= 8 KBytes = 64 Kbits)

Flash Bank Device Interface description (Refer to CFI JESD-68) (x16 asynchronous)

Maximum number of bytes in Page-Write = 2

N

(00H = not supported)

Number of Erase Block Regions within device

Erase Block Region 1 Information (Sector)

(Refer to the CFI specification or JESD-68)

y = 127 + 1 = 128 sectors (007FH = 127)

z = 32 Bytes/sector = 1 x 256 Bytes

T16.4 327

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