參數(shù)資料
型號： SST38VF166-70-4C-EK
廠商： SILICON STORAGE TECHNOLOGY INC
元件分類： PROM
英文描述： RECTIFIER BRIDGE 4A 600V 150A-ifsm 1V-vf 5uA-ir GBU 20/TUBE
中文描述： 1M X 16 FLASH 2.7V PROM, 70 ns, PDSO48
封裝： 12 X 20 MM, TSOP-48
文件頁數(shù)： 15/50頁
文件大小： 691K
代理商： SST38VF166-70-4C-EK
Data Sheet
16 Megabit FlashBank Memory
SST38VF166
15
2001 Silicon Storage Technology, Inc.
327-3 2/01
S71065
Absolute Maximum Stress Ratings
(Applied conditions greater than those listed under
“
Absolute Maximum
Stress Ratings
”
may cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional operation
of the device at these conditions or conditions greater than those defined in the operational sections of this data
sheet is not implied. Exposure to absolute maximum stress rating conditions may affect device reliability.)
Temperature Under Bias . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
°
C to +125
°
C
Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -65
°
C to +150
°
C
D. C. Voltage on Any Pin to Ground Potential . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .-0.5V to V
DD
+ 0.5V
Transient Voltage (<20 ns) on Any Pin to Ground Potential . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .-1.0V to V
DD
+ 1.0V
Package Power Dissipation Capability (Ta = 25
°
C) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0W
Surface Mount Lead Soldering Temperature (3 Seconds). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 240
°
C
Output Short Circuit Current
1
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50 mA
1. Outputs shorted for no more than one second. No more than one output shorted at a time.
O
PERATING
R
ANGE
:
Range
Commercial
Ambient Temp
0
°
C to +70
°
C
V
DD
2.7-3.6V
AC C
ONDITIONS
OF
T
EST
Input Rise/Fall Time . . . . . . . . . . . . . . . 10 ns
Output Load . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . C
L
= 30 pF
See Figures 42 and 43
TABLE 17: DC O
PERATING
C
HARACTERISTICS
V
DD
= 2.7-3.6V
Symbol
I
DD
Parameter
Power Supply Current
Limits
Max
Test Conditions
Address input = V
IL
/V
IH
, at f=1/T
RC
Min
V
DD
=V
DD
Max
BE#1,BE#2, or BE#3=V
IL
, WE#=V
IH
,
all I/Os open
BE#1/2=WE#=V
IL
, OE#=V
IH
V
DD
=V
DD
Max or E
2
Bank
BE#3=WE#=V
IL
, OE#=V
IH
V
DD
=V
DD
Max
Address input = V
IL
/V
IH
, at f=1/T
RC
Min
WE#=V
IH
, V
DD
=V
DD
Max
BE#1,BE#2, or BE#3=V
IL
, OE#=WE#=V
IH
,
BE#1,BE#2, or BE#3=V
IHC
,
V
DD
= V
DD
Max
BE#1,BE#2, or BE#3=V
ILC
, WE#= V
IHC
,
all I/Os open, Address input = V
IHC
/V
IHC
and static V
DD
=V
DD
Max
V
IN
=GND to V
DD
, V
DD
= V
DD
Max
V
OUT
=GND to V
DD
, V
DD
= V
DD
Max
V
DD
= V
DD
Min
Min
Units
Read
35
mA
Write: Flash Bank
40
mA
Read: Flash Bank plus
Write/Program/Erase:
E2 Bank or Flash Bank
Standby V
DD
Current
(CMOS inputs)
Auto Low Power Mode
(CMOS inputs)
75
mA
I
SB
50
μA
I
ALP
50
μA
I
LI
I
LO
V
IL
V
ILC
V
IH
V
IHC
V
OL
V
OH
Input Leakage Current
Output Leakage Current
Input Low Voltage
Input Low Voltage (CMOS)
Input High Voltage
Input High Voltage (CMOS)
Output Low Voltage
Output High Voltage
1
1
μA
μA
V
V
V
V
V
V
0.3V
DD
0.2
0.7V
DD
V
DD
-0.2
V
DD
= V
DD
Max
V
DD
= V
DD
Max
I
OL
= 100 μA, V
DD
= V
DD
Min
I
OH
= -100 μA, V
DD
= V
DD
Min
0.2
V
DD
-0.2
T17.1 327
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