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參數資料
| 型號： | SST38VF166-70-4C-EK |
| 廠商： | SILICON STORAGE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | RECTIFIER BRIDGE 4A 600V 150A-ifsm 1V-vf 5uA-ir GBU 20/TUBE |
| 中文描述： | 1M X 16 FLASH 2.7V PROM, 70 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, TSOP-48 |
| 文件頁數： | 16/50頁 |
| 文件大?。?/td> | 691K |
| 代理商： | SST38VF166-70-4C-EK |
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16
Data Sheet
16 Megabit FlashBank Memory
SST38VF166
2001 Silicon Storage Technology, Inc.
327-3 2/01
S71065
TABLE 18: R
ECOMMENDED
S
YSTEM
P
OWER
-
UP
T
IMINGS
Symbol
T
PU-READ1
T
PU-WRITE1
Parameter
Power-up to Read Operation
Power-up to Write Operation
Minimum
100
100
Units
μs
μs
T18.1 327
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this parameter.
TABLE 19: C
APACITANCE
(Ta = 25
°
C, f=1 Mhz, other pins open)
Parameter
C
I/O1
C
IN1
Description
I/O Pin Capacitance
Input Capacitance
Test Condition
V
I/O
= 0V
V
IN
= 0V
Maximum
12 pF
6 pF
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this parameter.
T19.1 327
TABLE 20: R
ELIABILITY
C
HARACTERISTICS
Symbol
N
END1
Parameter
Endurance - Flash Bank
Endurance - E2 Bank
Data Retention
ESD Susceptibility
Human Body Model
ESD Susceptibility
Machine Model
Latch Up
Minimum Specification
10,000
100,000
100
2000
Units
Test Method
JEDEC Standard A117
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this parameter.
Cycles/Sector
Cycles/Word
Years
Volts
T
DR1
V
ZAP_HBM1
JEDEC Standard A103
JEDEC Standard A114
V
ZAP_MM1
200
Volts
JEDEC Standard A115
I
LTH1
100 + I
DD
mA
JEDEC Standard 78
T20.0 327
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SST39SF010A | 64 Mbit (x16) Multi-Purpose Flash Plus |
| SST39SF040-70-4C-WH | 64 Mbit (x16) Multi-Purpose Flash Plus |
| SST39SF040-70-4I-NH | 64 Mbit (x16) Multi-Purpose Flash Plus |
| SST39SF040-70-4I-PH | 64 Mbit (x16) Multi-Purpose Flash Plus |
| SST39SF040-70-4I-WH | 64 Mbit (x16) Multi-Purpose Flash Plus |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| SST38VF6401-90-5C-B3KE | 功能描述:閃存 64M (4Mx16) 90ns 2.7-3.6V Commercial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST38VF6401-90-5C-EKE | 功能描述:閃存 64M (4Mx16) 90ns 2.7-3.6V Commercial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST38VF6401-90-5C-EKE-T | 功能描述:閃存 2.7 to 3.6V 64Mbit Parallel Adv MPF+ RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST38VF6401-90-5I-B3KE | 功能描述:閃存 2.7 to 3.6V 64Mbit Parallel Adv MPF+ RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST38VF6401-90-5I-B3KE-T | 制造商:Microchip Technology 功能描述:Flash Parallel 3.3V 64Mbit 4M x 16bit 90ns 48-Pin TFBGA T/R 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:2.7V TO 3.6V 64MBIT PM PARALLEL ADVANCED MPF+ - Tape and Reel 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:IC FLASH 64MBIT 90NS 48TFBGA 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:2.7Vto3.6V 64Mb ParAdvanced MPF+ |
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