- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄15834 > SI3225PPT0-EVB (Silicon Laboratories Inc)BOARD EVAL W/SI3200 INTERFACE PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SI3225PPT0-EVB |
| 廠商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 20/112頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | BOARD EVAL W/SI3200 INTERFACE |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| 系列： | ProSLIC® |
| 類型： | ADC + DAC，編碼解碼器，前端 |
| 適用于相關(guān)產(chǎn)品： | Si3225 |
| 所含物品： | 評(píng)估板和光盤 |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)當(dāng)前第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)第50頁(yè)第51頁(yè)第52頁(yè)第53頁(yè)第54頁(yè)第55頁(yè)第56頁(yè)第57頁(yè)第58頁(yè)第59頁(yè)第60頁(yè)第61頁(yè)第62頁(yè)第63頁(yè)第64頁(yè)第65頁(yè)第66頁(yè)第67頁(yè)第68頁(yè)第69頁(yè)第70頁(yè)第71頁(yè)第72頁(yè)第73頁(yè)第74頁(yè)第75頁(yè)第76頁(yè)第77頁(yè)第78頁(yè)第79頁(yè)第80頁(yè)第81頁(yè)第82頁(yè)第83頁(yè)第84頁(yè)第85頁(yè)第86頁(yè)第87頁(yè)第88頁(yè)第89頁(yè)第90頁(yè)第91頁(yè)第92頁(yè)第93頁(yè)第94頁(yè)第95頁(yè)第96頁(yè)第97頁(yè)第98頁(yè)第99頁(yè)第100頁(yè)第101頁(yè)第102頁(yè)第103頁(yè)第104頁(yè)第105頁(yè)第106頁(yè)第107頁(yè)第108頁(yè)第109頁(yè)第110頁(yè)第111頁(yè)第112頁(yè)
Si3220/25 Si3200/02
Rev. 1.3
15
Not
Recommended
fo
r N
ew
D
esi
gn
s
Table 8. Si3200/2 Characteristics
(VDD = 3.13 to 5.25 V, TA = 0 to 70 °C for K/F-Grade, –40 to 85 °C for B/G-Grade)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
TIP/RING Pulldown Transistor Satura-
tion Voltage
VOV
VRING – VBAT (Forward)
VTIP – VBAT (Reverse)
ILIM =22mA, IABIAS =4mA
ILIM =45mA,
3
—
V
TIP/RING Pullup Transistor
Saturation Voltage
VCM
GND – VTIP (Forward)
GND – VRING (Reverse)
ILIM =22mA
ILIM =45mA
3
—
V
Battery Switch Saturation
Impedance
RSAT
15
OPEN State TIP/RING Leakage Current
ILKG
RL =0
100
A
Internal Blocking Diode Forward Voltage
VF
0.8
V
Notes:
1. VAC = 2.5 VPK, RLOAD = 600 .
2. IOUT =60mA.
Table 9. DC Characteristics (VDD, VDD1–VDD4 = 5V)
(VDD, VDD1 – VDD4 = 4.75 to 5.25 V, TA = 0 to 70 °C for K/F-Grade, –40 to 85 °C for B/G-Grade)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
High Level Input
Voltage
VIH
0.7 x VDD
—5.25
V
Low Level Input
Voltage
VIL
—
0.3 x VDD
V
High Level Output
Voltage
VOH
IO =8mA
VDD – 0.6
—
V
Low Level Output
Voltage
VOL
DTX, SDO, INT, SDITHRU:
IO =–8mA
——
0.4
V
BATSELa/b, RRDa/b,
GPOa/b, TRD1a/b,TRD2a/b:
IO =–40 mA
—
0.72
V
SDITHRU Internal
Pullup Resistance
20
30
—
k
Relay Driver Source
Impedance
ROUT
VDD1–VDD4 =4.75V
IO < 28 mA
—63
—
Relay Driver Sink
Impedance
RIN
VDD1–VDD4 =4.75V
IO < 85 mA
—11
—
Input Leakage Current
IL
——
±10
A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MCP120-315GI/TO | IC SUPERVISOR ACTIVE LOW TO-92 |
| MAX6439UTFJYD3+T | IC BATTERY MON SNGL SOT23-6 |
| LHL13TB221K | INDUCTOR 220UH 1.3A RADIAL |
| 1838240-1 | CONN MALE M12 3POS STR 2M CABLE |
| MCP120-300HI/TO | IC SUPERVISOR ACTIVE LOW TO-92 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SI3225PPT-EVB | 制造商:SILABS 制造商全稱:SILABS 功能描述:EVALUATION BOARD FOR THE Si3225 DUAL PROSLIC |
| SI3225PPTX-EVB | 功能描述:音頻 IC 開發(fā)工具 Si3225 Eval Board RoHS:否 制造商:Texas Instruments 產(chǎn)品:Evaluation Kits 類型:Audio Amplifiers 工具用于評(píng)估:TAS5614L 工作電源電壓:12 V to 38 V |
| SI3225-X-FQ | 制造商:SILABS 制造商全稱:SILABS 功能描述:DUAL PROSLIC㈢ PROGRAMMABLE CMOS SLIC/CODEC |
| SI3225-X-GQ | 制造商:SILABS 制造商全稱:SILABS 功能描述:DUAL PROSLIC㈢ PROGRAMMABLE CMOS SLIC/CODEC |
| SI3226 | 制造商:SILABS 制造商全稱:SILABS 功能描述:Dual ProSLIC㈢ with DC-DC Controller |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。