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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SI3225PPT0-EVB |
| 廠商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 102/112頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | BOARD EVAL W/SI3200 INTERFACE |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| 系列： | ProSLIC® |
| 類型： | ADC + DAC，編碼解碼器，前端 |
| 適用于相關(guān)產(chǎn)品： | Si3225 |
| 所含物品： | 評(píng)估板和光盤 |
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Si3220/25 Si3200/02
Rev. 1.3
9
Not
Recommended
fo
r N
ew
D
esi
gn
s
Table 4. 5 V Power Supply Characteristics1
(VDD, VDD1 – VDD4 = 5V, TA = 0 to 70 °C for K/F-Grade, –40 to 85 °C for B/G-Grade)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
VDD1 – VDD4 Supply
Current (Si3220/Si3225)
IVDD1–IVDD4
Sleep mode, RESET = 0
—
1
—
mA
Open (high-impedance)
—
22
—
mA
Active on-hook standby
—
21
—
mA
Forward/reverse active off-hook
—62 +
ILIM +
ABIAS
—mA
Forward/reverse active OHT
OBIAS = 4 mA
—65—
mA
Ringing, VRING =45Vrms,
VBAT = –70 V, 1 REN load
—31—
mA
VDD Supply Current
(Si3200/2)
IVDD
Sleep mode, RESET = 0
—
110
—
A
Open (high-impedance)
—
110
—
A
Active on-hook standby
—
110
—
A
Forward/reverse active off-hook,
ABIAS = 4 mA, VBAT =–24 V
—110
—
A
Forward/reverse OHT, OBIAS = 4 mA,
VBAT =–70 V
—110
—
A
Ringing, VRING =45Vrms,
VBAT = –70 V,
1 REN load
—110
—
A
Notes:
1. All specifications are for a single channel based on measurements with both channels in the same operating state.
2. See "3.14.4. Ringing Power Considerations" on page 54 for current and power consumption under other operating
conditions.
3. Power consumption does not include additional power required for dc loop feed. Total system power consumption must
include an additional (VDD + |VBAT|) x ILOOP term.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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