參數(shù)資料
型號： SI1016X
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： P-Channel 20-V (D-S) MOSFET,Low-Threshold
中文描述： P通道20V（D-S）MOSFET 低閾值
文件頁數(shù)： 3/7頁
文件大?。?/td> 53K
代理商： SI1016X
Si1016X
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71168
S-03104
—
Rev. A, 08-Feb-01
www.vishay.com
3
0.0
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
0
200
400
600
800
1000
0
200
400
600
800
1000
1200
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
GS
= 5 thru 1.8 V
T
C
=
–
55 C
125 C
25 C
Output Characteristics
Transfer Characteristics
V
DS
–
Drain-to-Source Voltage (V)
–
I
D
V
GS
–
Gate-to-Source Voltage (V)
1 V
I
D
-
–
r
D
)
0
20
40
60
80
100
0
4
8
12
16
20
0.60
0.80
1.00
1.20
1.40
1.60
–
50
–
25
0
25
50
75
100
125
0
1
2
3
4
5
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
V
DS
–
Drain-to-Source Voltage (V)
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 10 V
I
D
= 250 mA
I
D
–
Drain Current (mA)
V
GS
= 4.5 V
I
D
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
–
Q
g
–
Total Gate Charge (nC)
C
–
V
G
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
–
Junction Temperature ( C)
(
–
r
D
)
V
GS
= 1.8 V
I
D
= 150 mA
V
GS
= 1.8 V
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 2.5 V
V
= 0 V
f = 1 MHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI1022R N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
SI1023X Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI1024X Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI1025X P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
SI1029X Complementary N- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI1016X_08 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Complementary N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI1016X-T1 功能描述:MOSFET 20V 0.6/0.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI1016X-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 0.6/0.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI1016X-T1-E3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET
SI1016X-T1-GE3 功能描述:MOSFET N/P-Ch MOSFET 700/1200 mohms@4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*