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參數(shù)資料
| 型號： | S71WS512N80BAEZZ0 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| 中文描述： | 堆疊式多芯片產(chǎn)品（MCP）的閃存和移動存儲芯片的CMOS 1.8伏特 |
| 文件頁數(shù)： | 94/142頁 |
| 文件大?。?/td> | 1996K |
| 代理商： | S71WS512N80BAEZZ0 |
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94
128Mb pSRAM
S71WS512NE0BFWZZ_00_A1 June 28, 2004
P r e l i m i n a r y
128M
b pSRAM
(8M word x 16 bit) Pseudo SRAM with Page & Burst
FEATURES
Fast Access Cycle Time
t
CE
=70ns max
8 words Page Read Access Capability
t
PAA
=20ns max
Burst Read/Write Access Capability
t
AC
=11ns max
Low Voltage Operating Condition
V
DD
=+2.6 to +3.1V
V
DDQ
=+1.65V to +1.95V
Wide Operating Temperature
T
A
=-30°C to +85°C
Byte Control by UB# and LB#
Low Power Consumption
I
DDA1
=35mA max
I
DDS1
=300 mA max
Various Power Down mode
Sleep, 16M-bit and 32M-bit Partial
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S71WS512N80BAEZZ2 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512N80BAEZZ3 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512N80BAIZZ0 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512N80BAIZZ2 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512N80BAIZZ3 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S71WS512N80BAEZZ2 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512N80BAEZZ3 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512N80BAIZZ0 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512N80BAIZZ2 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512N80BAIZZ3 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
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