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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | S71WS512N80BAEZZ0 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| 中文描述： | 堆疊式多芯片產(chǎn)品（MCP）的閃存和移動(dòng)存儲(chǔ)芯片的CMOS 1.8伏特 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 113/142頁(yè) |
| 文件大小： | 1996K |
| 代理商： | S71WS512N80BAEZZ0 |
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June 28, 2004 S71WS512NE0BFWZZ_00_A1
128Mb pSRAM
113
P r e l i m i n a r y
AC CHARACTERISTICS (Continued)
SYNCHRONOUS READ OPERATION (BURST MODE)
Notes
*1: The output load 50pF with 50ohm termination to V
DDQ
*0.5 V.
*2: The output load 5pF without any other load.
*3: Once they are determined, they must not be changed until the end of burst.
*4: Defined from the Low to High transition of CE#1 to the High to Low transition of either ADV# or CE#1
whichever occurs late.
Parameter
Symbol
Value
Unit
Notes
Min.
Max.
Burst Read Cycle Time
t
RCB
—
8000
ns
CLK Access Time
t
AC
—
11
ns
*1
Output Hold Time from CLK
t
CKQX
3
—
ns
*1
CE#1 Low to WAIT# Low
t
CLTL
5
20
ns
*1
OE# Low to WAIT# Low
t
OLTL
0
20
ns
*1
ADV# Low to WAIT# Low
t
VLTL
0
20
ns
*1
CLK to WAIT# Valid Time
t
CKTV
—
11
ns
*1
WAIT# Valid Hold Time from CLK
t
CKTX
3
—
ns
*1
CE#1 Low to Output Low-Z
t
CLZ
5
—
ns
*2
OE# Low to Output Low-Z
t
OLZ
0
—
ns
*2
LB#, UB# Low to Output Low-Z
t
BLZ
0
—
ns
*2
CE#1 High to Output High-Z
t
CHZ
—
20
ns
*1
OE# High to Output High-Z
t
OHZ
—
20
ns
*1
LB#, UB# High to Output High-Z
t
BHZ
—
20
ns
*1
CE#1 High to WAIT# High-Z
t
CHTZ
—
20
ns
*1
OE# High to WAIT# High-Z
t
OHTZ
—
20
ns
*1
OE# Low Setup Time to 1st Data-out
t
OLQ
30
—
ns
UB#, LB# Setup Time to 1st Data-out
t
BSQ
26
—
ns
*3
OE# Setup Time to CLK
t
OSCK
5
—
ns
OE# Hold Time from CLK
t
CKOH
5
—
ns
Burst End CE#1 Low Hold Time from CLK
t
CKCLH
5
—
ns
Burst End UB#, LB# Hold Time from CLK
t
CKBH
5
—
ns
Burst Terminate Recovery
Time
BL=8,16
t
TRB
26
—
ns
*4
BL=Continuous
70
—
ns
*4
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PDF描述 |
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