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參數(shù)資料
| 型號： | S71WS512N80BAEZZ0 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| 中文描述： | 堆疊式多芯片產(chǎn)品（MCP）的閃存和移動存儲芯片的CMOS 1.8伏特 |
| 文件頁數(shù)： | 124/142頁 |
| 文件大?。?/td> | 1996K |
| 代理商： | S71WS512N80BAEZZ0 |
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124
128Mb pSRAM
S71WS512NE0BFWZZ_00_A1 June 28, 2004
P r e l i m i n a r y
TIMING DIAGRAMS (Continued)
Asynchronous Read / Write Timing #1-1 (CE#1 Control)
Notes
*1: This timing diagram assumes CE2=H and ADV#=L.
*2: Write address is valid from either CE#1 or WE# of last falling edge.
Asynchronous Read / Write Timing #1-2 (CE#1 / WE# / OE# Control)
Notes
*1: This timing diagram assumes CE2=H and ADV#=L.
*2: OE# can be fixed Low during write operation if it is CE#1 controlled write at Read-Write-Read sequence.
READ DATA OUTPUT
ADDRESS
CE#1
DQ
WE#
t
WC
t
CW
OE#
t
OHCL
UB#, LB#
t
CHAH
t
CP
WRITE ADDRESS
t
AS
t
RC
WRITE DATA INPUT
t
DS
t
CHZ
t
OH
t
CP
t
CE
t
ASC
READ ADDRESS
t
WRC
t
CHAH
t
DH
t
CLZ
t
OH
READ DATA OUTPUT
ADDRESS
CE#1
DQ
WE#
t
WC
t
WP
OE#
t
OHCL
UB#, LB#
t
OE
t
CHAH
t
CP
WRITE ADDRESS
t
AS
t
RC
WRITE DATA INPUT
t
DS
t
CHZ
t
OH
t
CP
t
CE
t
ASC
READ ADDRESS
t
WR
t
CHAH
t
DH
t
OLZ
t
OH
READ DATA OUTPUT
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| S71WS512N80BAIZZ2 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512N80BAIZZ3 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
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