- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄374664 > S29PL127J70 (Spansion Inc.) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Read/Write Flash Memory with Enhanced VersatileIO Control PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | S29PL127J70 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Read/Write Flash Memory with Enhanced VersatileIO Control |
| 中文描述： | 3.0伏的CMOS只，同步讀/寫閃存與增強VersatileIO控制記憶 |
| 文件頁數(shù)： | 98/106頁 |
| 文件大?。?/td> | 1997K |
| 代理商： | S29PL127J70 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁當(dāng)前第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁
96
S29PL127J/S29PL129J/S29PL064J/S29PL032J
31107A62 April 7, 2005
P R E L I M I N A R Y
Notes:
1. Typical program and erase times assume the following conditions: 25
°
C, 3.0 V V
CC
, 100,000 cycles. Additionally,
programming typicals assume checkerboard pattern. All values are subject to change.
2. Under worst case conditions of 90
°
C, V
CC
= 2.7 V, 1,000,000 cycles. All values are subject to change.
3. The typical chip programming time is considerably less than the maximum chip programming time listed, since most
bytes program faster than the maximum program times listed.
4. In the pre-programming step of the Embedded Erase algorithm, all bytes are programmed to 00h before erasure.
5. System-level overhead is the time required to execute the two- or four-bus-cycle sequence for the program
command. See
Table 21
for further information on command definitions.
6. The device has a minimum erase and program cycle endurance of 100,000 cycles.
BGA Pin Capacitance
Notes:
1. Sampled, not 100% tested.
2. Test conditions T
A
= 25°C, f = 1.0 MHz.
Figure 23.
Timing Diagram for Alternating Between CE1# and CE2# Control
Table 34.
Erase And Programming Performance
Parameter
Sector Erase Time
Typ (
Note 1
)
Max (
Note 2
)
Unit
Comments
0.5
2
sec
Excludes 00h programming
prior to erasure (
Note 4
)
Chip Erase Time
PL127J/129J
135
216
sec
PL064J
71
113.6
sec
PL032J
39
62.4
sec
Word Program Time
6
100
μs
Excludes system level
overhead (
Note 5
)
Accelerated Word Program Time
4
60
μs
Chip Program Time
(
Note 3
)
PL127J/129J
50.4
200
sec
PL064J
25.2
50.4
sec
PL032J
12.6
25.2
sec
Parameter Symbol
C
IN
C
OUT
C
IN2
C
IN3
Parameter Description
Input Capacitance
Output Capacitance
Control Pin Capacitance
WP#/ACC Pin Capacitance
Test Setup
V
IN
= 0
V
OUT
= 0
V
IN
= 0
V
IN
= 0
Typ
6.3
7.0
5.5
11
Max
7
8
8
12
Unit
pF
pF
pF
pF
CE1#
t
CCR
t
CCR
CE2#
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S2A_1 | 2.0 AMPS. Surface Mount Rectifiers |
| S2K | 2.0 AMPS. Surface Mount Rectifiers |
| S2M | 2.0 AMPS. Surface Mount Rectifiers |
| S2A | 2.0 AMPS. Surface Mount Rectifiers |
| S2B | 2.0 AMPS. Surface Mount Rectifiers |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S29PL127J70BAI000 | 功能描述:閃存 128Mb 3V 70ns Parallel NOR 閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| S29PL127J70BAI020 | 制造商:Spansion 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 128MBIT 8MX16 70NS 64FBGA - Trays |
| S29PL127J70BFI000 | 制造商:Spansion 功能描述:SPZS29PL127J70BFI000 POWER MOSFET 30 V, 制造商:Spansion 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 128MBIT 8MX16 70NS 80FBGA - Trays |
| S29PL127J70TAI130 | 制造商:Spansion 功能描述: 制造商:Spansion 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 128MBIT 8MX16 70NS 56TSOP - Trays |
| S29PL127J70TFI130 | 制造商:Spansion 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 128MBIT 8MX16 70NS 56TSOP - Trays |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。