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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | S29PL127J70 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Read/Write Flash Memory with Enhanced VersatileIO Control |
| 中文描述： | 3.0伏的CMOS只，同步讀/寫閃存與增強(qiáng)VersatileIO控制記憶 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 96/106頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1997K |
| 代理商： | S29PL127J70 |
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94
S29PL127J/S29PL129J/S29PL064J/S29PL032J
31107A62 April 7, 2005
P R E L I M I N A R Y
Controlled Erase Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2. See the “Erase And Programming Performance” section for more information.
Table 31.
Alternate CE# Controlled Erase and Program Operations
Parameter
Speed Options
JEDEC
Std
Description
55
60
65
70
Unit
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time (
Note 1
)
Min
55
60
65
70
ns
t
AVWL
t
AS
Address Setup Time
Min
0
ns
t
ELAX
t
AH
Address Hold Time
Min
30
35
ns
t
DVEH
t
DS
Data Setup Time
Min
25
30
ns
t
EHDX
t
DH
Data Hold Time
Min
0
ns
t
GHEL
t
GHEL
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
t
WLEL
t
WS
WE# Setup Time
Min
0
ns
t
EHWH
t
WH
WE# Hold Time
Min
0
ns
t
ELEH
t
CP
CE# (CE1# or CE#2 in PL129J) Pulse Width
Min
35
40
ns
t
EHEL
t
CPH
CE# (CE1# or CE#2 in PL129J) Pulse Width High
Min
20
25
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Programming Operation (
Note 2
)
Typ
6
μs
t
WHWH1
t
WHWH1
Accelerated Programming Operation (
Note 2
)
Typ
4
μs
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (
Note 2
)
Typ
0.5
sec
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PDF描述 |
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