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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | S29NS064N0PBJW003 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | Simultaneous Read/Write, Multiplexed, Burst Mode Flash Memory |
| 中文描述： | 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 80 ns, PBGA44 |
| 封裝： | 7.70 X 6.20 MM, LEAD FREE, FBGA-44 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 67/86頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1036K |
| 代理商： | S29NS064N0PBJW003 |
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S29NS-N_00_A12 June 13, 2006
S29NS-N MirrorBit Flash Family
65
D a t a
S h e e t
( A d v a n c e
I n f o r m a t i o n )
19.2
Synchronous/Burst Read
Note
Not 100% tested.
Parameter
Description
(80 MHz)
(66 MHz)
Unit
JEDEC
Standard
t
IACC
Initial Access Time
Max
80
ns
t
BACC
Burst Access Time Valid Clock to Output Delay
Max
9
11.0
ns
t
AVDS
AVD# Setup Time to CLK
Min
4
4
ns
t
AVDH
AVD# Hold Time from CLK
Min
6
6
ns
t
AVDO
AVD# High to OE# Low
Min
0
ns
t
ACS
Address Setup Time to CLK
Min
4
4
ns
t
ACH
Address Hold Time from CLK
Min
6
6
ns
t
BDH
Data Hold Time from Next Clock Cycle
Min
3
3
ns
t
OE
Output Enable to Data, or RDY Valid
Max
9
11.0
ns
t
CEZ
Chip Enable to High Z (Note)
Max
8
10
ns
t
OEZ
Output Enable to High Z (Note)
Max
8
10
ns
t
CES
CE# Setup Time to CLK
Min
4
ns
t
RDYS
RDY Setup Time to CLK
Min
3.5
4
ns
t
RACC
Ready access time from CLK
Max
9
11.0
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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參數(shù)描述 |
|---|---|
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| S29NS064N0SBJW002 | 制造商:SPANSION 制造商全稱(chēng):SPANSION 功能描述:Simultaneous Read/Write, Multiplexed, Burst Mode Flash Memory |
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| S29NS128J0LBAW000 | 制造商:SPANSION 制造商全稱(chēng):SPANSION 功能描述:Burst Mode Flash Memories |
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