參數(shù)資料
型號： MT48LC4M16A2P-75:G
元件分類： DRAM
英文描述： 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54
封裝： 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP2-54
文件頁數(shù)： 71/72頁
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PDF: 09005aef80725c0b/Source: 09005aef806fc13c
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
64MSDRAM_2.fm - Rev. N 12/08 EN
8
2000 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
64Mb: x4, x8, x16 SDRAM
Functional Block Diagrams
Figure 2:
8 Meg x 8 SDRAM
12
RAS#
CAS#
ROW-
ADDRESS
MUX
CLK
CS#
WE#
CKE
CONTROL
LOGIC
COLUMN-
ADDRESS
COUNTER/
LATCH
MODE REGISTER
9
COMMAND
DECODE
A0–A11,
BA0, BA1
DQM
12
ADDRESS
REGISTER
14
512
(x8)
4096
I/O GATING
DQM MASK LOGIC
READ DATA LATCH
WRITE DRIVERS
COLUMN
DECODER
BANK0
MEMORY
ARRAY
(4,096 x 512 x 8)
BANK0
ROW-
ADDRESS
LATCH
&
DECODER
4096
SENSE AMPLIFIERS
BANK
CONTROL
LOGIC
DQ0–DQ7
8
DATA
INPUT
REGISTER
DATA
OUTPUT
REGISTER
8
12
BANK1
BANK2
BANK3
12
9
2
1
2
REFRESH
COUNTER
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M93C06-MB6G 16 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, DSO8
MT48LC4M16A2F4-6IT:G 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PBGA54
MT46V32M8FG-6TIT:G 32M X 8 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA60
MT46V32M8BG-6AT:G 32M X 8 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA60
M29F800FB55N3E2 512K X 16 FLASH 5V PROM, 55 ns, PDSO48
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