參數(shù)資料
型號(hào)： MT48LC4M16A2P-75:G
元件分類： DRAM
英文描述： 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54
封裝： 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP2-54
文件頁(yè)數(shù)： 60/72頁(yè)
文件大小： 3455K
PDF: 09005aef80725c0b/Source: 09005aef806fc13c
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
64MSDRAM_2.fm - Rev. N 12/08 EN
63
2000 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
64Mb: x4, x8, x16 SDRAM
Timing Diagrams
Figure 46:
READ – DQM Operation
Notes:
1. For this example, BL = 4, and CL = 2.
2. x16: A8, A9 and A11 = “Don’t Care”
x8: A9 and A11 = “Don’t Care”
x4: A11 = “Don’t Care”
tCH
tCL
tCK
tRCD
CAS Latency
DQM /
DQML, DQMH
CKE
CLK
A0-A9, A11
DQ
BA0, BA1
A10
tCMS
ROW
BANK
ROW
BANK
tAC
LZ
DOUT m
tOH
DOUT m + 3
DOUT m + 2
t
tHZ
LZ
t
tCMH
COMMAND
NOP
ACTIVE
NOP
READ
NOP
tHZ
tAC
tOH
tAC
tOH
tAH
tAS
tCMS tCMH
tAH
tAS
tAH
tAS
tCKH
tCKS
ENABLE AUTO PRECHARGE
DISABLE AUTO PRECHARGE
COLUMN m 2
T0
T1
T2
T4
T3
T5
T6
T7
T8
DON’T CARE
UNDEFINED
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PDF描述
M93C06-MB6G 16 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, DSO8
MT48LC4M16A2F4-6IT:G 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PBGA54
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MT46V32M8BG-6AT:G 32M X 8 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA60
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