參數(shù)資料
型號： MT28F640J3
廠商： Micron Technology, Inc.
英文描述： 64Mb Flash Memory(64Mb閃速存儲器)
中文描述： 64MB Flash記憶體（64兆閃速存儲器）
文件頁數(shù)： 38/45頁
文件大小： 317K
代理商： MT28F640J3
38
64Mb, 32Mb SirusFlash Memory
MT28F640J3_2.p65 – Rev. 1, Pub. 12/00
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2000, Micron Technology, Inc.
64Mb, 32Mb
SIRUSFLASH MEMORY
PRELIMINARY
Figure 13
Transient Equivalent Testing Load Circuit
Figure 12
Transient Input/Output Reference Waveform for V
CC
Q = 3.0V–3.6V or
V
CC
Q = 2.7V–3.6V
Test Points
Input V
CC
Q/2
V
CC
Q/2 Output
V
CC
Q
0.0
NOTE:
AC test inputs are driven at V
CC
Q for a logic 1 and 0.0V for a logic 0. Input timing begins, and output timing ends, at V
CC
Q/
2V (50% of V
CC
Q). Input rise and fall times (10% to 90%) < 5ns.
Device
Under Test
Out
R
L
= 3.3K
1.3V
1N914
C
L
NOTE:
C
L
includes jig capacitance
Test Configuration Capacitance Loading Value
Test Configuration
C
L
(pF)
V
CC
Q =
V
CC
= 3.3V to 3.6V
30
V
CC
Q =
V
CC
= 2.7V to 3.6V
30
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MT28F640J3BS-115 GMET 功能描述:IC FLASH 64MBIT 115NS 64FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869
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