- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄384755 > MT28F640J3 (Micron Technology, Inc.) 64Mb Flash Memory(64Mb閃速存儲器) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | MT28F640J3 |
| 廠商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | 64Mb Flash Memory(64Mb閃速存儲器) |
| 中文描述： | 64MB Flash記憶體（64兆閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 16/45頁 |
| 文件大小： | 317K |
| 代理商： | MT28F640J3 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁當前第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁
16
64Mb, 32Mb SirusFlash Memory
MT28F640J3_2.p65 – Rev. 1, Pub. 12/00
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2000, Micron Technology, Inc.
64Mb, 32Mb
SIRUSFLASH MEMORY
PRELIMINARY
Table 12
Protection Register Information
OFFSET
1
P = 31h
(P+E)h
DESCRIPTION
(OPTIONAL FLASH FEATURES AND COMMANDS)
Number of protection register fields in JEDEC ID space “00h”
indicates that 256 protection bytes are available.
Protection Field 1: Protection Description
This field describes user-available, one-time programmable (OTP)
protection register bytes. Some are preprogrammed with device-
unique serial numbers; others are user-programmable. Bits 0–15
point to the protection register lock byte, the section’s first byte.
The following bytes are factory-preprogrammed and user-
programmable.
Bits 0–7 Lock/bytes JEDEC-plane physical low address
Bits 8–15 Lock/bytes JEDEC-plane physical high address
Bits 16–23 “n” such that 2
n
= factory preprogrammed bytes
Bits 24–31 “n” such that 2
n
= user-programmable bytes
A DDRESS
HEX
VA LUE
CODE
01
3Fh
01
(P+F)h
(P+10)h
(P+11)h
(P+12)h
40h
00
00h
Table 13
Burst READ Information
OFFSET
1
P = 31h
(P+13)h
DESCRIPTION
(OPTIONAL FLASH FEATURES AND COMMANDS)
Page Mode Read Capability
Bits 0–7 = “n” such that 2
n
Hex value represents the number of
read page bytes. See offset 28h for device word width to determine
page mode data output width. 00h indicates no read page buffer.
Number of synchronous mode read configuration fields
that follow. 00h indicates no burst capability.
Reserved for future use.
A DDRESS
HEX
VA LUE
CODE
8 byte
44h
03
(P+14)h
45h
00
(P+15)h
46h
NOTE:
1. The variable “ P” is a pointer which is defined at CFI offset 15h.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT35212A | BELL 212A/CCITT V.22 Modem Filter |
| MT35212AE | BELL 212A/CCITT V.22 Modem Filter |
| MT35212AP | BELL 212A/CCITT V.22 Modem Filter |
| MT46V32M16TG-8L | DOUBLE DATA RATE DDR SDRAM |
| MT46V64M8TG-75 | DOUBLE DATA RATE DDR SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT28F640J3BS-115 ET | 功能描述:IC FLASH 64MBIT 115NS 64FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應商設備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869 |
| MT28F640J3BS-115 ET TR | 功能描述:IC FLASH 64MBIT 115NS 64FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:378 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應商設備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤 |
| MT28F640J3BS-115 GMET | 功能描述:IC FLASH 64MBIT 115NS 64FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應商設備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869 |
| MT28F640J3BS-115 GMET TR | 功能描述:IC FLASH 64MBIT 115NS 64FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:378 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應商設備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤 |
| MT28F640J3BS-115 MET | 功能描述:IC FLASH 64MBIT 115NS 64FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應商設備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。