參數(shù)資料
型號(hào)： MT28F640J3
廠商： Micron Technology, Inc.
英文描述： 64Mb Flash Memory(64Mb閃速存儲(chǔ)器)
中文描述： 64MB Flash記憶體（64兆閃速存儲(chǔ)器）
文件頁(yè)數(shù)： 14/45頁(yè)
文件大?。?/td> 317K
代理商： MT28F640J3
14
64Mb, 32Mb SirusFlash Memory
MT28F640J3_2.p65 – Rev. 1, Pub. 12/00
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2000, Micron Technology, Inc.
64Mb, 32Mb
SIRUSFLASH MEMORY
PRELIMINARY
DEVICE GEOMETRY DEFINITION
Tables 10a and 10b provide important details about
the device geometry.
Table 10a
Device Geometry Definition
OFFSET
LENGTH
DESCRIPTION
CODE
(see table below)
27h
28h
02
29h
00
2Ah
05
2Bh
00
2Ch
01
27h
28h
1
2
“n” such that device size = 2
n
in number of bytes
Flash device interface: x8 async, x16 async, x8/x16 async;
28:00, 29:00 28:01, 29:00 28:02, 29:00
“n” such that maximum number of bytes in write
buffer = 2
n
Number of erase block regions within device:
1. x = 0 means no erase blocking; the device erases in “bulk”
2. x specifies the number of device or partition regions
with one or more contiguous same-size erase blocks
3. Symmetrically blocked partitions have one blocking
region
4. Partition size = (total blocks) x (individual block size)
Erase Block Region 1 Information
Bits 0–15 = y; y + 1 = number of identical-size erase blocks
Bits 16–31 = z; region erase block(s) size are z x 256 bytes
x8/x16
2Ah
2
32
2Ch
1
1
2Dh
4
2Dh
2Eh
2Fh
30h
Table 10b
Device Geometry Definition Codes
A DDRESS
27h
28h
29h
2Ah
2Bh
2Ch
2Dh
2Eh
2Fh
30h
32Mb
16
02
00
05
00
01
1F
00
00
02
64Mb
17
02
00
05
00
01
3F
00
00
02
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MT28F640J3BS-115 GMET 功能描述:IC FLASH 64MBIT 115NS 64FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869
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