參數(shù)資料
型號(hào)： MT28F640J3
廠商： Micron Technology, Inc.
英文描述： 64Mb Flash Memory(64Mb閃速存儲(chǔ)器)
中文描述： 64MB Flash記憶體（64兆閃速存儲(chǔ)器）
文件頁(yè)數(shù)： 13/45頁(yè)
文件大?。?/td> 317K
代理商： MT28F640J3
13
64Mb, 32Mb SirusFlash Memory
MT28F640J3_2.p65 – Rev. 1, Pub. 12/00
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2000, Micron Technology, Inc.
64Mb, 32Mb
SIRUSFLASH MEMORY
PRELIMINARY
SYSTEM INTERFACE INFORMATION
Table 9 provides useful information about optimiz-
ing system interface software.
Table 9
System Interface Information
OFFSET
LENGTH
DESCRIPTION
A DDRESS
HEX
CODE
VA LUE
1Bh
1
V
CC
logic supply minimum program/erase voltage
Bits 0–3 BCD 100mV
Bits 4–7 BCD volts
V
CC
logic supply maximum program/erase voltage
Bits 0–3 BCD 100mV
Bits 4–7 BCD volts
V
PP
[programming] supply minimum program/erase
voltage
Bits 0–3 BCD 100mV
Bits 4–7 Hex volts
V
PP
[programming] supply maximum program/erase
voltage
Bits 0–3 BCD 100mV
Bits 4–7 Hex volts
“n” such that typical single word program
timeout = 2
n
μs
“n” such that typical max. buffer write timeout = 2
n
μs
“n” such that typical block erase timeout = 2
n
ms
“n” such that typical full chip erase timeout = 2
n
ms
“n” such that maximum word program timeout = 2
n
times typical
“n” such that maximum buffer write timeout = 2
n
times typical
“n” such that maximum block erase timeout = 2
n
times typical
“n” such that maximum chip erase timeout = 2
n
times typical
1Bh
27
2.7V
1Ch
1
1Ch
36
3.6V
1Dh
1
1Dh
00
0.0V
1Eh
1
1Eh
00
0.0V
1Fh
1
1Fh
07
128μs
20h
21h
22h
23h
1
1
1
1
20h
21h
22h
23h
07
0A
00
04
128μs
1s
N/A
192μs
24h
1
24h
04
192μs
25h
1
25h
04
16s
26h
1
26h
00
N/A
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PDF描述
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MT28F640J3BS-115 ET 功能描述:IC FLASH 64MBIT 115NS 64FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869
MT28F640J3BS-115 ET TR 功能描述:IC FLASH 64MBIT 115NS 64FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:FLASH 存儲(chǔ)容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤
MT28F640J3BS-115 GMET 功能描述:IC FLASH 64MBIT 115NS 64FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869
MT28F640J3BS-115 GMET TR 功能描述:IC FLASH 64MBIT 115NS 64FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:FLASH 存儲(chǔ)容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤
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