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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MT28F640J3 |
| 廠商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | 64Mb Flash Memory(64Mb閃速存儲(chǔ)器) |
| 中文描述： | 64MB Flash記憶體（64兆閃速存儲(chǔ)器） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/45頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 317K |
| 代理商： | MT28F640J3 |
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3
64Mb, 32Mb SirusFlash Memory
MT28F640J3_2.p65 – Rev. 1, Pub. 12/00
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2000, Micron Technology, Inc.
64Mb, 32Mb
SIRUSFLASH MEMORY
PRELIMINARY
Y - Select Gates
Sense Amplifiers
Write/Erase-Bit
Compare and Verify
Addr.
Buffer/
Latch
Power
(Current)
Control
Addr.
Counter
Command
Execution
Logic
I/O
Control
Logic
V
PP
Switch/
Pump
Status
Register
Identification
Register
Y -
Decoder
X
State
Machine
A0–A22
OE#
WE#
RP#
V
CC
V
PEN
DQ0–DQ15
CE2
Output
Buffer
Input
Buffer
Write
Buffer
STS
128KB Memory Block (0)
128KB Memory Block (1)
128KB Memory Block (2)
128KB Memory Block (63)
128KB Memory Block (61)
128KB Memory Block (62)
Query
CE1
CE0
CE Logic
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
(64Mb)
Y - Select Gates
Sense Amplifiers
Write/Erase-Bit
Compare and Verify
Addr.
Buffer/
Latch
Power
(Current)
Control
Addr.
Counter
Command
Execution
Logic
I/O
Control
Logic
V
PP
Switch/
Pump
Status
Register
Identification
Register
Y -
Decoder
X
State
Machine
A0–A21
OE#
WE#
RP#
V
CC
V
PEN
DQ0–DQ15
CE2
Output
Buffer
Input
Buffer
Write
Buffer
STS
128KB Memory Block (0)
128KB Memory Block (1)
128KB Memory Block (2)
128KB Memory Block (31)
128KB Memory Block (29)
128KB Memory Block (30)
Query
CE1
CE0
CE Logic
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
(32Mb)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| MT28F640J3BS-115 ET | 功能描述:IC FLASH 64MBIT 115NS 64FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869 |
| MT28F640J3BS-115 ET TR | 功能描述:IC FLASH 64MBIT 115NS 64FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:FLASH 存儲(chǔ)容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤 |
| MT28F640J3BS-115 GMET | 功能描述:IC FLASH 64MBIT 115NS 64FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869 |
| MT28F640J3BS-115 GMET TR | 功能描述:IC FLASH 64MBIT 115NS 64FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:FLASH 存儲(chǔ)容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤 |
| MT28F640J3BS-115 MET | 功能描述:IC FLASH 64MBIT 115NS 64FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869 |
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