參數(shù)資料
型號(hào)： MT28F016S5VG-9
廠商： Micron Technology, Inc.
英文描述： 2 MEG x 8 SMART 5 EVEN-SECTORED FLASH MEMORY
中文描述： 2邁可× 8的SMART 5偶扇區(qū)快閃記憶體
文件頁(yè)數(shù)： 4/24頁(yè)
文件大?。?/td> 282K
代理商： MT28F016S5VG-9
4
2 Meg x 8 Smart 5 Even-Sectored Flash Memory
F42.p65 – Rev. 1/00
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2000, Micron Technology, Inc.
ADVANCE
2 MEG x 8
SMART 5 EVEN-SECTORED FLASH MEMORY
NOTE
: 1. L = V
IL
(LOW), H = V
IH
(HIGH), X = V
IL
or V
IH
(“Don’t Care”).
2. V
PPH
= 5V.
3. BA = Block Address; WA = Write Address.
4. Operation must be preceded by ERASE SETUP command.
5. Operation must be preceded by WRITE SETUP command.
6. The READ ARRAY command must be issued before reading the array after writing or erasing.
TRUTH TABLE
1
FUNCTION
Standby
Deep Power-Down/Reset
READ
READ
Output Disable
WRITE/ERASE
2, 3
ERASE SETUP
ERASE CONFIRM
4
WRITE SETUP
WRITE
5
READ ARRAY
6
DEVICE CONFIGURATION
Manufacturer Compatibility ID
Device ID
RP#
H
L
CE#
H
X
OE#
X
X
WE#
X
X
ADDRESS
X
X
V
PP
X
X
DQ0-DQ7
High-Z
High-Z
RY/BY#
V
OH
V
OH
H
H
L
L
L
H
H
H
X
X
X
X
Data-Out
High-Z
V
OH
V
OH
H
H
H
H
H
L
L
L
L
L
H
H
H
H
H
L
L
L
L
L
X
BA
X
WA
X
X
20H
D0H
10H/40H
Data-In
FFH
V
OH
V
PPH
X
V
PPH
X
V
OH
V
OL
V
OH
V
OH
V
OL
V
OH
H
H
L
L
L
L
H
H
000000H
000001H
X
X
89H
A0H
V
OH
V
OH
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PDF描述
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MT28F128J3BS-12 MET 功能描述:IC FLASH 128MBIT 120NS 64FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869
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