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參數(shù)資料
| 型號： | MT28F016S5VG-9 |
| 廠商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | 2 MEG x 8 SMART 5 EVEN-SECTORED FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 2邁可× 8的SMART 5偶扇區(qū)快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 14/24頁 |
| 文件大?。?/td> | 282K |
| 代理商： | MT28F016S5VG-9 |
14
2 Meg x 8 Smart 5 Even-Sectored Flash Memory
F42.p65 – Rev. 1/00
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2000, Micron Technology, Inc.
ADVANCE
2 MEG x 8
SMART 5 EVEN-SECTORED FLASH MEMORY
YES
NO
V
PP
= 5V
V
PP
V
CC
Complete Status
Check (optional)
ERASE Complete
NO
YES
Suspend ERASE
STATUS REGISTER
or RY/BY# Polling
SR7 = 1
WRITE 20H
Start
WRITE D0H,
Block Address
Suspend
Sequence
ERASE Resumed
E
B
3
4
2
SELF-TIMED BLOCK ERASE SEQUENCE
1
COMPLETE BLOCK ERASE
STATUS-CHECK SEQUENCE
NO
Start (BLOCK ERASE completed)
YES
SR4, 5 = 1
SR3 = 0
YES
YES
Command Sequence Error
SR5 = 0
NO
6
6
V Error
PP
BLOCK ERASE
5, 6
ERASE Successful
NOTE:
1. Sequence may be repeated to erase additional blocks.
2. Complete status check is not required.
3. To return to the array read mode, the FFH command must be issued.
4. Refer to the ERASE SUSPEND flowchart for more information.
5. If SR3 is set during a WRITE or BLOCK ERASE attempt, CLEAR STATUS REGISTER (50H) should be issued before further
WRITE or ERASE operations are attempted.
6. Status register bits 3-5 must be cleared using CLEAR STATUS REGISTER.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| MT28F128J3BS-12 MET | 功能描述:IC FLASH 128MBIT 120NS 64FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869 |
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